发光二极管外延结构及发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。发光二极管外延结构，包括：衬底，以及顺次设置于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层包括交替层叠设置的量子阱层和量子垒层，至少一个所述量子垒层为复合结构层；复合结构层包括一个或多个复合结构子层；复合结构子层包括层叠设置的未掺杂的氮化镓层、掺杂硼的氮化镓层和P型掺杂的氮化铝镓层。本发明专利技术的有源层中的量子垒层使用GaN/B

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延结构及发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其是涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(light
‑
emitting diode，简称LED)，通过电子与空穴复合释放能量发光，是一种发光器件，其可将电能高效地转化为光能。随着科技的发展，发光二极管现今被广泛地应用于显示器、照明以及医疗器件等

[0003]但是，现有技术中的发光二极管，发光层中的量子阱和量子垒存在晶格差异，往往会造成能带弯曲，电子容易溢流到P型区；另一方面，量子阱中空穴浓度低，空穴迁移率低，这会导致量子阱中电子空穴辐射复合效率低下的技术问题。
[0004]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一个目的在于提供发光二极管外延结构，以解决现有技术中存在的发光二极管中电子空穴辐射复合效率低等技术问题。
[0006]本专利技术的另一目的在于提供发光二极管。
[0007]为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光二极管外延结构，其特征在于，包括：衬底，以及顺次设置于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述有源层包括交替层叠设置的量子阱层和量子垒层，其中至少一个所述量子垒层为复合结构层；所述复合结构层包括一个或多个复合结构子层；所述复合结构子层包括层叠设置的未掺杂的氮化镓层、掺杂硼的氮化镓层和P型掺杂的氮化铝镓层。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述复合结构层包括层叠设置的多个复合结构子层；优选的，所述复合结构层中，所述复合结构子层的数量为3～10个。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，与所述P型半导体层最近的一个量子垒层为所述复合结构层；其中的P型掺杂的氮化铝镓层为P
‑
Al
x1
GaN；优选的，其余的所述量子垒层为n
‑
Al
x2
GaN；优选的，x1＞x2≥0。4.根据权利要求3所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述有源层中，n
‑
Al
x2
GaN形式的量子垒层的个数大于复合结构层形式的量子垒层的个数；优选的，n
‑
Al
x2
GaN形式的量子垒层的厚度为80～110埃。5.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，与所述P型半导体层最近的两个量子垒层为所述复合结构层，所述两个量子垒层中的P型掺杂的氮化铝镓层沿远离所述P型半导体层的方向分别为P
‑
Al
x1
GaN和P
‑
Al
x4
GaN，并满足：x4≤x1。6.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述掺杂硼的氮化镓层中，硼的含量以摩尔比值计为0.05～0.5；优选的，所述硼的含量以摩尔比值计为0.1～0.35。7.根据权利要求3所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述复合结构为未掺杂的氮化镓层、掺杂硼的氮化镓层和P型掺杂的氮化铝镓层交替层叠形成的周期性结构，其周期数为3～10。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽军，展望，刘康，朱涛，芦玲，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：