一种能提高亮度的LED芯片半成品结构制造技术

本实用新型专利技术涉及LED芯片领域，具体涉及一种能提高亮度的LED芯片半成品结构，包括二氧化硅层和光刻胶层，所述二氧化硅层设置于P层上表面边沿；所述光刻胶层覆盖于二氧化硅层上表面。在所述能提高亮度的LED芯片半成品结构上溅射第二银镜反射层，剥离光刻胶层后，第二银镜反射层边沿贴附二氧化硅层边沿设置，增大了第二银镜反射层的面积，提高了倒装LED芯片的发光量。并且所述能提高亮度的LED芯片半成品结构表面形貌就是溅射第二银镜反射层的光刻形貌，故而减少了光刻第二银镜反射层的步骤，提高了倒装LED芯片的生产效率。提高了倒装LED芯片的生产效率。提高了倒装LED芯片的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种能提高亮度的LED芯片半成品结构


[0001]本技术涉及LED芯片领域，具体涉及一种能提高亮度的LED芯片半成品结构。

技术介绍

[0002]LED(LightEmittingDiode)即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。随着经济的不断发展，汽车作为代步工具越加普及到各个家庭。近十多年来，LED作为车灯照明的趋势越加显著，从工艺路线上看，车用照明的LED芯片全部采用倒装芯片结构，主要是由于倒装芯片无需打线，缩小封装模组的体积，同时适合多种材质的封装基板。从客户端使用情况来看，由于汽车需要在夜间行驶，对亮度的要求高，所以对车用LED芯片亮度提升也越发迫切。
[0003]倒装LED芯片中，银镜反射层对倒装LED芯片的亮度具有一定影响。倒装LED芯片中P型半导体层在N层靠近基板的一侧，银镜发射层将原本P型半导体层发出朝向基板的光线反射，使上述光线朝背离基板的方向射出，N层远离基板的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能提高亮度的LED芯片半成品结构，其特征在于，包括从下至上依次层叠蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；还包括二氧化硅层和光刻胶层，所述二氧化硅层设置于P层上表面边沿；所述光刻胶层覆盖于二氧化硅层上表面。2.根据权利要求1所述的能提高亮度的LED芯片半成品结构，其特征在于，包括ITO层，所述ITO层设置在P层上表面中部，所述ITO层边沿与二氧化硅层间隔设置。3.根据权利要求1所述的能提高亮度的LED芯片半成品结构，其特征在于，所述P层边沿开设P层台阶孔，所述量子阱边沿开设量子阱台阶孔，所述量子阱台阶孔一端连通P层台阶孔，另一端延伸至N层表面；所述二氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：