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本实用新型涉及LED芯片领域，具体涉及一种能提高亮度的LED芯片半成品结构，包括二氧化硅层和光刻胶层，所述二氧化硅层设置于P层上表面边沿；所述光刻胶层覆盖于二氧化硅层上表面。在所述能提高亮度的LED芯片半成品结构上溅射第二银镜反射层，剥离光...
该专利属于福建兆元光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建兆元光电有限公司授权不得商用。

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