一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法，属于热电技术领域，目的在于提供一种附着力强、阻隔性好、电阻率低、与焊料湿润性好的n型碲化铋热电器件的封装结构及其制备方法。其包括缓冲层、阻挡层、电极层，所述缓冲层的材质为导电半导体氧化物，所述阻挡层的材质为金属或金属合金，所述电极层的材质为金属或金属合金。其通过在碲化铋基体引入导电半导体氧化物作为缓冲层，可以有效地阻止阻挡层金属离子与碲化铋基体形成固熔体，增加了碲化铋基体与封装层的结合强度。本发明专利技术适用于一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于热电
，具体涉及一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]热电材料是一种能实现热能和电能相互转换的新能源材料，由热电材料制备的热电发生器可用于温差发电和热电制冷，而热电材料与电极的连接界面是热电器件的重要部分，直接影响到器件的可靠性和寿命。
[0003]根据热电器件制备、应用经验，理想的阻挡层特性包括以下几点：
[0004](1)阻挡层材料必须具有高的电导率、热导率，尽量减少整个器件的总电阻和总热阻，确保能量在传输过程中不被过多地损耗；
[0005](2)阻挡层材料的热膨胀系数(CTE)尽量与热电基底材料相匹配，不会因为热应力过大而在界面处产生微裂纹和孔洞影响热电传输性能；
[0006](3)阻挡层材料尽量薄，这样可以减少总接触电阻和热内阻；
[0007](4)阻挡层材料化学稳定性要好，不易变化，确保器件寿命；
[0008](5)阻挡层材料不能与热电材料发生严重的扩散反应；r/>[0009](本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲化铋基热电器件的封装结构，其特征在于，包括缓冲层(1)、阻挡层(2)、电极层(3)，所述缓冲层(1)的材质为导电半导体氧化物，所述阻挡层(2)的材质为金属或金属合金，所述电极层(3)的材质为金属或金属合金。2.按照权利要求1所述的一种碲化铋基热电器件的封装结构，其特征在于，所述导电半导体氧化物为氧化铟锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡中的一种或多种组合物，所述缓冲层(1)的厚度为1
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5um。3.按照权利要求1所述的一种碲化铋基热电器件的封装结构，其特征在于，所述阻挡层(2)为Ni、Cu、Mo中的一种或多种组合的合金，所述阻挡层(2)的厚度为2
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【专利技术属性】
技术研发人员：彭德权，戈镇洲，舒元春，
申请(专利权)人：四川攀西碲铋产业技术研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：