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本发明公开了一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法，属于热电技术领域，目的在于提供一种附着力强、阻隔性好、电阻率低、与焊料湿润性好的n型碲化铋热电器件的封装结构及其制备方法。其包括缓冲层、阻挡层、电极层，所述缓冲层的材质为导电半导体氧化...
该专利属于四川攀西碲铋产业技术研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川攀西碲铋产业技术研究院有限责任公司授权不得商用。

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