一种高纯锑溅射靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯锑溅射靶材及其制备方法，属于靶材制备技术领域。本发明专利技术所述高纯锑溅射靶材的制备方法以水淬后的锑颗粒为原料，经过粒度调节后纯化，以颗粒形式直接入模成坯并最终制备溅射靶材；所述方法有效解决了锑金属加工难度大的缺陷，同时制备的产品相对密度高，平均晶粒尺寸小，含氧量低。含氧量低。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯锑溅射靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及靶材制备
，具体涉及一种高纯锑溅射靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前半导体行业中所常使用的溅射靶材需要具备高密度、晶粒细致均匀且纯度高的条件。锑是一种光泽度高，质地硬而萃的金属原料，在半导体行业中主要用于超高电导率的n型硅晶圆的掺杂剂，现有技术中高纯锑产品主要是锑粉、锑棒为主(CN108179441A、CN114250371A和CN114951608A)，鲜有制备锑靶材的技术，皆因锑金属硬度高且脆性大，加工难度大，难以通过常规的熔炼浇注的方法制备靶材。

技术实现思路

[0003]基于现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供了一种高纯锑溅射靶材的制备方法，该方法以水淬后的锑颗粒为原料，经过粒度调节后纯化，以颗粒形式直接入模成坯并最终制备溅射靶材；所述方法有效解决了锑金属加工难度大的缺陷，同时制备的产品相对密度高，平均晶粒尺寸小，含氧量低。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0005]一种高纯锑溅射靶材的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯锑溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将锑颗粒进行水淬处理；(2)将水淬处理后的锑颗粒破碎过筛，随后经真空球磨处理至颗粒粒径≤20μm，得粉末A；(3)对粉末A经超声酸洗处理后，干燥，随后在300～400℃下氢化处理6～8h，得粉末B；(4)将粉末B置于石墨模具中加热至350～400℃下进行一段保温处理，随后在580～600℃下进行二段加压保温处理，所得毛坯经研磨和加工处理，即得所述高纯锑溅射靶材。2.如权利要求1所述高纯锑溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述水淬处理后的锑颗粒粒径为2～5mm，纯度≥5N。3.如权利要求1所述高纯锑溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述粉末B的颗粒粒径≤10μm，氧含量≤200ppm。4.如权利要求1所述高纯锑溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中过筛后的颗粒粒径≤0.6mm，真空球磨处理时所用球磨珠的粒径为2～10mm，材质为不锈钢，所述球磨珠与锑颗粒的质量比为(0.5～1.2)：1。5.如权利要求4所述高纯锑溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述真空球磨处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文兴，肖翀，白平平，童培云，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：