一种RPD镀膜设备制造技术

本发明专利技术提供了一种RPD镀膜设备，属于RPD镀膜生产领域，包括外壳；真空腔，对于镀膜环境进行真空预处理的所述真空腔设置在外壳的内部；均匀单元，对于硅片进行移动牵引镀膜的所述均匀单元设置在所述真空腔的一侧；辅助成型单元，用于辅助硅片进行翻转全面镀膜的所述辅助成型单元设置在所述均匀单元的一侧。通过横向臂爪下降插入到硅片的二次夹持端收缩加持，再令夹持臂爪松动，从而使横向臂爪带动硅片的未镀膜面下降，进而伸出定型腔，使镀膜材料对于硅片的未覆膜区进行二次覆膜，而横向臂爪替换夹持臂爪可以有效对硅片的夹持区进行镀膜，从而实现对硅片的全面镀膜，结合移动块的往复运动，使镀膜物质均匀覆盖在硅片表面。使镀膜物质均匀覆盖在硅片表面。使镀膜物质均匀覆盖在硅片表面。

【技术实现步骤摘要】
一种RPD镀膜设备


[0001]本专利技术涉及RPD镀膜生产
，尤其涉及一种RPD镀膜设备。

技术介绍

[0002]HJT太阳电池制备过程中，RPD镀膜是第三道工序，在非晶硅层上加镀一层TCO，具有减反射及导电的作用。RPD：（反应等离子体沉积ReactivePlasmaDeposi
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tion）是最近发展起来的一种优势明显的薄膜沉积方法。采用等离子体产生器将氩气解离形成氩离子(Ar+)来激发大量的电子(e
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)产生。利用磁场将电子转弯并聚焦于靶锭，将要镀膜物质(TCO)加热，直接升华变成气相。气相粒子经过等离子区高度解离成离子态，此时反应气体也在此区域形成离子态。高游离状态的离子结合后沉积于基板，形成高质量膜层，在硅片（3093）表面形成一层透明导电膜。
[0003]中国专利202010709835.X公开了一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法。该烧结体，由氧化铟、掺杂元素x和硅元素制备得到，其中掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比为0.2～5.0％，硅元素在所述烧结体中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RPD镀膜设备，其特征在于，包括外壳；真空腔，对于镀膜环境进行真空预处理的所述真空腔设置在外壳的内部；均匀单元，对于硅片进行移动牵引镀膜的所述均匀单元设置在所述真空腔的一侧；辅助成型单元，用于辅助硅片进行翻转全面镀膜的所述辅助成型单元设置在所述均匀单元的一侧；将需要镀膜的硅片放置到感应加热件的顶部，并在回形轨的牵引下沿着感应加热件的中线往复运动，使硅片的底部和其侧部的未夹持部分被一次镀膜，一次镀膜完成后，初次推动件在翻转轨的约束下，使一次镀膜的硅片运动到定型喷头406下被离子喷射下完成定型，通过夹持臂爪3091的翻转使硅片未镀膜的部分会面对感应加热件，配合横向臂爪的侧部夹持和夹持推动件的向下推动，实现对硅片的二次全面镀膜。2.根据权利要求1所述的一种RPD镀膜设备，其特征在于，所述真空腔包括转动台、圆柱台、插槽以及挡板，所述转动台转动设置在真空腔的内部中心，所述转动台的顶面沿真空腔的高度侧设置有圆柱台；所述圆柱台沿其圆周方向均匀分布有插槽，所述插槽由内向外延伸插接有挡板。3.根据权利要求2所述的一种RPD镀膜设备，其特征在于，所述真空腔还包括发生腔，所述发生腔的两侧对称设置有挡板，所述发生腔的内部设置有离子发生件；所述离子发生件的侧部设置有底台，所述底台的底部设置有转动台，所述底台的顶部安装有加热发生件，所述加热发生件的表面环绕有感应加热件。4.根据权利要求1
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3任一所述的一种RPD镀膜设备，其特征在于，所述外壳包括控制箱体，所述控制箱体的内部设置有动力腔，所述动力腔的内部设置有旋转驱动件，所述旋转驱动件的侧部设置有真空件，所述旋转驱动件的输出轴和转动台的底面转动连接；所述外壳的外侧设置有迁移轨，所述迁移轨的内部活动安装有闭合板。5.根据权利要求4所述的一种RPD镀膜设备，其特征在于，所述外壳还包括对接板，所述对接板安装在外壳的顶部，所述对接板的底面安装有移动轨，所述移动轨的底部活动安装有移动件；...

【专利技术属性】
技术研发人员：茹钰婷，邢珍帅，熊福民，郑军，
申请(专利权)人：湖州爱康光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：