存储装置和对存储装置进行编程的方法制造方法及图纸

提供了一种存储装置以及对存储装置进行编程的方法。所述方法可以包括：将编程循环应用到所述存储装置的多个存储单元以将所述多个存储单元的阈值电压调整到期望的目标状态，每个所述编程循环包括编程阶段和验证阶段；对第一页面的存储单元进行编程；存储完成将所述第一页面的存储单元编程为第一目标状态所使用的第一编程循环的数目；将第二页面的存储单元编程为所述第一目标状态，所述第二页面与所述第一页面相邻；以及对所述第二页面执行验证操作。操作。操作。

【技术实现步骤摘要】
存储装置和对存储装置进行编程的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2021年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0134461的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0003]本专利技术构思的各种示例实施例涉及半导体存储装置(memory device)，更具体地，涉及能够确定编程期间与目标状态相关的验证操作的起点和终点的存储装置、包括存储装置的系统、和/或存储装置的编程方法。

技术介绍

[0004]为了将主机(例如，主机设备等)使用的数据和/或指令存储在系统中和/或为了执行计算操作，该系统包括半导体芯片并且使用动态随机存取存储器(DRAM)作为系统的操作存储器或主存储器以及使用存储设备(storage device)作为存储介质。存储设备包括非易失性存储器。随着存储设备的存储容量增加，堆叠在非易失性存储器的衬底上的存储单元和字线的数目增加，并且存储在存储单元中的数据的位数增加。为了提高存储器的存储容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对存储装置进行编程的方法，所述方法包括：将编程循环应用到所述存储装置的多个存储单元以将所述多个存储单元的阈值电压调整到期望的目标状态，每个所述编程循环包括编程阶段和验证阶段，所述编程阶段是编程电压被施加到存储单元的时间段，所述验证阶段是验证电压被施加到存储单元的时间段，所述编程循环包括对第一页面执行的第一编程循环以及对第二页面执行的第二编程循环；在所述第一编程循环的编程阶段期间将所述第一页面的存储单元编程为第一目标状态；存储完成将所述第一页面的存储单元编程为所述第一目标状态所使用的所述第一编程循环的数目；在所述第二编程循环的编程阶段期间将所述第二页面的存储单元编程为所述第一目标状态，所述第二页面与所述第一页面相邻；以及在对所述第二页面执行的至少一个所述第二编程循环的验证阶段期间对所述第二页面执行验证操作，所述的执行验证操作包括确定所述第二页面的存储单元是否被编程为所述第一目标状态，所述的对所述第二页面执行验证操作基于所存储的所述第一编程循环的数目。2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：计算与所述第二页面相关联的验证偏差数目，所述的计算验证偏差数目包括：将与所述第二页面的所述第一目标状态对应的阈值电压分布的偏移量除以在对所述第二页面执行的所述第二编程循环中要应用的所述编程电压的电压增量，所计算出的验证偏差数目对应于其中所述验证操作要被执行的所述第二编程循环的总数。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述的对所述第二页面执行验证操作包括：在对所述第二页面执行的所述第二编程循环中的前M个编程循环的验证阶段期间跳过所述验证操作，其中，M等于所存储的所述第一编程循环的数目减去所述验证偏差数目。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述的对所述第二页面执行验证操作包括：在对所述第二页面执行的所述第二编程循环中的第M+1编程循环至第N编程循环的验证阶段期间执行所述验证操作，其中，N等于所存储的所述第一编程循环的数目。5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在所述编程循环中的第三编程循环的编程阶段期间，将与所述存储装置的所述第一页面相邻的第三页面的存储单元编程为所述第一目标状态；存储完成将所述第三页面的存储单元编程为所述第一目标状态所使用的所述第三编程循环的数目；在所述编程循环中的第四编程循环的编程阶段期间将所述存储装置的第四页面的存储单元编程为所述第一目标状态，所述第四页面与所述第三页面相邻；以及在至少一个所述第四编程循环的验证阶段期间对所述第四页面执行验证操作，所述的执行验证操作基于所存储的所述第三编程循环的数目。6.根据权利要求5所述的方法，其中，对所述第二页面执行的验证操作的总数不同于对所述第四页面执行的验证操作的总数。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一页面和所述第二页面的存储单元的编程包括将第一数据至第三数据编程到所述第一页面和所述第二页面，所述第一数据至所述第三数据中的每一者包括3位数据；并且所述方法还包括：使用第一步编程对所述第一页面和所述第二页面的具有与擦除状态对应的阈值电压分布的第一存储单元进行编程以存储所述第一数据，所述的对所述第一存储单元进行编程以存储所述第一数据包括将所述第一存储单元编程为具有与第一编程状态的阈值电压分布对应的阈值电压，使用第二步编程对所述第一页面和所述第二页面的具有与所述擦除状态对应的阈值电压分布的第二存储单元进行编程以存储所述第二数据和所述第三数据，所述的对所述第二存储单元进行编程以存储所述第二数据和所述第三数据包括将所述第二存储单元编程为具有与分别对应于第二编程状态至第四编程状态的阈值电压分布对应的阈值电压，以及使用所述第二步编程对所述第一页面和所述第二页面的具有与所述第一编程状态对应的阈值电压分布的所述第一存储单元进行编程以存储所述第二数据和所述第三数据，所述的对所述第一存储单元进行编程以存储所述第二数据和所述第三数据包括将所述第一存储单元编程为具有与分别对应于第五编程状态至第八编程状态的阈值电压分布对应的阈值电压。8.一种对存储装置进行编程的方法，所述方法包括：使用编程循环将存储单元阵列的多个存储单元编程为期望的目标状态，每个所述编程循环包括编程阶段和验证阶段，所述编程阶段是编程电压被施加到存储单元的时间段，所述验证阶段是验证电压被施加到存储单元的时间段，所述编程循环包括对所述存储单元阵列的第一页面执行的第一编程循环以及对所述存储单元阵列的第二页面执行的第二编程循环；将所述第一页面的存储单元编程为第一目标状态；存储完成将所述第一页面的存储单元编程为所述第一目标状态所使用的所述第一编程循环的数目；在所述第二编程循环的编程阶段期间将所述第二页面的存储单元编程为所述第一目标状态，所述第二页面与所述第一页面相邻；以及计算与所述第二页面相关联的验证偏差数目，所述验证偏差数目基于与所述第二页面的所述第一目标状态对应的阈值电压分布的偏移量以及在所述编程循环中要被应用的所述编程电压的电压增量而计算；以及在对所述第二页面执行的至少一个所述第二编程循环的验证阶段期间对所述第二页面执行验证操作，所述的执行验证操作包括确定所述第二页面的存储单元是否被编程为所述第一目标状态，所述的对所述第二页面执行验证操作基于所存储的所述第一编程循环的数目与所述验证偏差数目之间的关系。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二页面的验证操作的结束循环对应于所存储的所述第一编程循环的数目。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述的计算与所述第二页面相关联的验证偏差数目包括：将与所述第二页面的所述第一目标状态对应的阈值电压分布的偏移量除以在所述第二编程循环中要应用的所述编程电压的电压增量，并且所计算出的验证偏差数目对应于对所述第二页面执行的其中所述验证操作要被执行的所述第二编程循环的数目。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述的对所述第二页面执行验证操作包括：在对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金道彬，郑原宅，梁在爀，梁真宇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：