本公开的实施例涉及半导体装置、安装基板和半导体器件。半导体装置包括安装基板，包括具有前表面和后表面的导电雕刻结构，其中安装基板的邻近区域具有通过连接杆彼此连接的相互面对的导电侧形成件，每个导电侧形成件包括在前表面处的第一接触焊盘和在后表面处的第二接触焊盘；其中安装基板被配置为在连接杆处在邻近区域之间被切割；其中在前表面处的每个第一接触焊盘具有垂直于第一接触焊盘的长度测量的第一宽度，其中第一宽度从导电侧形成件的远端到连接杆变窄；以及其中在后表面处的每个第二接触焊盘具有垂直于第二接触焊盘的长度测量的第二宽度，其中第二宽度从导电侧形成件的远端到连接杆变宽。利用本公开的实施例有利于增加焊盘的抗脱离性。利于增加焊盘的抗脱离性。利于增加焊盘的抗脱离性。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置、半导体器件以及安装基板
[0001]本说明书涉及半导体器件。
[0002]一个或多个实施例可应用于(例如)包括预模制引线框的半导体器件。
[0003]一个或多个实施例可以应用于方形扁平无引线(QFN)型的半导体器件。
技术介绍
[0004]制造诸如方形扁平无引线(QFN)封装半导体器件之类的半导体器件的当前方法涉及将多个半导体管芯或芯片布置(附着)到诸如预模制引线框之类的带状基板上。
[0005]各个器件在最后的“分割”步骤中形成，该步骤包括锯开其上布置有半导体管芯或芯片的基板和模制在其上的绝缘封装。
[0006]在锯切过程中产生的机械载荷/振动可能导致不希望的分层现象。独立于或在其之上，热循环(由组件回流或功率器件的寿命操作产生)可引发分层或恶化现有的分层条件，这可导致现场器件失效。
[0007]在本领域中需要有助于克服上述缺陷。
技术实现思路
[0008]本公开的目的是提供半导体装置、半导体器件和安装基板，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。
[0009]本公开的一方面提供了一种半导体装置，包括：安装基板，包括具有前表面和后表面的导电雕刻结构，其中所述安装基板的邻近区域具有通过连接杆彼此连接的相互面对的导电侧形成件，每个导电侧形成件包括在所述前表面处的第一接触焊盘和在所述后表面处的第二接触焊盘；其中所述安装基板被配置为在所述连接杆处在所述邻近区域之间被切割；其中在所述前表面处的每个第一接触焊盘具有垂直于所述第一接触焊盘的长度测量的第一宽度，其中所述第一宽度从所述导电侧形成件的远端到所述连接杆变窄；以及其中在所述后表面处的每个第二接触焊盘具有垂直于所述第二接触焊盘的长度测量的第二宽度，其中所述第二宽度从所述导电侧形成件的所述远端到所述连接杆变宽。
[0010]根据一个或多个实施例，其中所述第一接触焊盘在邻近所述连接杆的位置处的所述第一宽度小于所述第二接触焊盘在邻近所述连接杆的所述位置处的所述第二宽度。
[0011]根据一个或多个实施例，其中在邻近所述连接杆的所述位置处的具有所述第二宽度的所述后表面处的所述第二接触焊盘的部分处，在邻近所述连接杆的位置处的所述前表面处的每个第一接触焊盘的所述第一宽度形成侧凹陷。
[0012]根据一个或多个实施例，半导体装置还包括电绝缘材料，所述电绝缘材料被模制到所述导电雕刻结构上并且填充所述侧凹陷。
[0013]根据一个或多个实施例，其中在所述连接杆处的所述导电雕刻结构的所述后表面被减薄，以产生用于所述第二焊盘的可润湿侧面。
[0014]本公开的另一方面提供了一种半导体器件，包括：安装基板，包括具有前表面和后
表面的导电雕刻结构，并且所述安装基板还具有导电侧形成件，每个导电侧形成件包括在所述前表面处的第一接触焊盘和在所述后表面处的第二接触焊盘；其中所述前表面处的每个第一接触焊盘具有垂直于所述第一接触焊盘的长度测量的第一宽度，其中所述第一宽度从所述导电侧形成件的远端到所述导电侧形成件的切割端变窄；其中所述后表面处的每个第二接触焊盘具有垂直于所述第二接触焊盘的长度测量的第二宽度，其中所述第二宽度从所述导电侧形成件的所述远端到所述导电侧形成件的所述切割端变宽；集成电路芯片，安装到所述安装基板的所述前表面；以及绝缘密封剂，所述绝缘密封剂封装所述集成电路芯片并且在所述导电侧形成件之间绝缘。
[0015]根据一个或多个实施例，其中邻近所述导电侧形成件的所述切割端的所述第一接触焊盘的所述第一宽度小于邻近所述导电侧形成件的所述切割端的所述第二接触焊盘的所述第二宽度。
[0016]根据一个或多个实施例，其中在邻近所述导电侧形成件的所述切割端的具有变宽的所述第二宽度的所述后表面处的所述第二接触焊盘的部分处，在邻近所述导电侧形成件的所述切割端的所述前表面处的每个第一接触焊盘的变窄的所述第一宽度形成侧凹陷。
[0017]根据一个或多个实施例，其中所述绝缘密封剂填充所述侧凹陷。
[0018]根据一个或多个实施例，其中在所述导电侧形成件的所述切割端处的所述导电雕刻结构的所述后表面被减薄，以产生用于所述第二焊盘的可润湿侧面。
[0019]本公开的另一方面提供了一种安装基板，被配置为具有布置在其相应的邻近区域上的多个半导体芯片，所述邻近区域具有相互面对的侧面，其中所述安装基板包括层状的导电雕刻结构和模制在所述导电雕刻结构上的电绝缘材料，所述导电雕刻结构包括所述安装基板的所述邻近区域的导电侧形成件，其中所述安装基板的所述邻近区域具有相互面对的导电侧形成件，其中所述安装基板的所述邻近区域中的一个邻近区域的导电侧形成件面对所述安装基板的所述邻近区域中的另一个邻近区域中的导电侧形成件，其中所述安装基板具有前表面和后表面，并且所述安装基板的所述邻近区域的所述导电侧形成件包括分别在所述安装基板的所述前表面和所述后表面处的第一接触焊盘和第二接触焊盘；其中具有布置在其上的所述多个半导体芯片的所述安装基板被配置为在所述邻近区域的所述相互面对的侧面处被切割以提供单独的切单的半导体器件，其中所述安装基板的邻近区域的所述相互面对的导电侧结构由于所述切割而被分离；以及其中在所述安装基板的邻近区域中的所述导电侧形成件包括在所述安装基板的所述前表面处的所述第一接触焊盘，所述第一接触焊盘具有在所述相互面对的侧面处具有侧凹陷的变窄部分，其中模制到所述基板的所述导电雕刻结构上的所述电绝缘材料穿透到所述侧凹陷中，从而为所述安装基板的所述导电雕刻结构提供所述绝缘材料的锚定结构。
[0020]根据一个或多个实施例，安装基板还包括在所述安装基板的所述后表面处具有扩大部分的所述第二接触焊盘，所述扩大部分与在所述安装基板的所述前表面处的所述接触焊盘的变窄部分中的所述侧凹陷邻近的、所述相互面对的侧面处具有侧延伸部。
[0021]根据一个或多个实施例，安装基板还包括在所述安装基板的所述后表面处的所述第二焊盘的可润湿侧面。
[0022]根据一个或多个实施例，其中所述导电雕刻结构包括：连接杆，所述连接杆位于所述安装基板的邻近区域的所述相互面对的导电侧形成件的所述安装基板的前表面处的接
触焊盘之间，其中所述连接杆被配置为被移除，以作为对其上布置有所述多个半导体芯片的所述安装基板在所述邻近区域的所述相互面对的侧面处进行所述切割的结果。
[0023]本公开的又一方面提供了一种半导体器件，包括：安装在基板的前表面上的至少一个半导体芯片，所述基板具有与所述前表面相对的后表面并且包括层状的导电雕刻结构和模制到所述导电雕刻结构上的电绝缘材料，所述导电雕刻结构包括分别在所述基板的所述前表面和所述后表面处的第一接触焊盘和第二接触焊盘；以及其中在所述基板的所述前表面处的所述第一接触焊盘具有变窄的端部，所述变窄的端部具有侧凹陷，其中模制到所述基板的所述导电雕刻结构上的所述电绝缘材料穿透到所述侧凹陷中，并且为所述安装基板的所述导电雕刻结构提供所述绝缘材料的锚定结构。
[0024]根据一个或多个实施例，半导体器本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：安装基板，包括具有前表面和后表面的导电雕刻结构，其中所述安装基板的邻近区域具有通过连接杆彼此连接的相互面对的导电侧形成件，每个导电侧形成件包括在所述前表面处的第一接触焊盘和在所述后表面处的第二接触焊盘；其中所述安装基板被配置为在所述连接杆处在所述邻近区域之间被切割；其中在所述前表面处的每个第一接触焊盘具有垂直于所述第一接触焊盘的长度测量的第一宽度，其中所述第一宽度从所述导电侧形成件的远端到所述连接杆变窄；以及其中在所述后表面处的每个第二接触焊盘具有垂直于所述第二接触焊盘的长度测量的第二宽度，其中所述第二宽度从所述导电侧形成件的所述远端到所述连接杆变宽。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触焊盘在邻近所述连接杆的位置处的所述第一宽度小于所述第二接触焊盘在邻近所述连接杆的所述位置处的所述第二宽度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在邻近所述连接杆的位置处的具有所述第二宽度的所述后表面处的所述第二接触焊盘的部分处，在邻近所述连接杆的位置处的所述前表面处的每个第一接触焊盘的所述第一宽度形成侧凹陷。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括电绝缘材料，所述电绝缘材料被模制到所述导电雕刻结构上并且填充所述侧凹陷。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述连接杆处的所述导电雕刻结构的所述后表面被减薄，以产生用于所述第二接触焊盘的可润湿侧面。6.一种半导体器件，其特征在于，包括：安装基板，包括具有前表面和后表面的导电雕刻结构，并且所述安装基板还具有导电侧形成件，每个导电侧形成件包括在所述前表面处的第一接触焊盘和在所述后表面处的第二接触焊盘；其中所述前表面处的每个第一接触焊盘具有垂直于所述第一接触焊盘的长度测量的第一宽度，其中所述第一宽度从所述导电侧形成件的远端到所述导电侧形成件的切割端变窄；其中所述后表面处的每个第二接触焊盘具有垂直于所述第二接触焊盘的长度测量的第二宽度，其中所述第二宽度从所述导电侧形成件的所述远端到所述导电侧形成件的所述切割端变宽；集成电路芯片，安装到所述安装基板的所述前表面；以及绝缘密封剂，所述绝缘密封剂封装所述集成电路芯片并且在所述导电侧形成件之间绝缘。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，邻近所述导电侧形成件的所述切割端的所述第一接触焊盘的所述第一宽度小于邻近所述导电侧形成件的所述切割端的所述第二接触焊盘的所述第二宽度。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在邻近所述导电侧形成件的所述切割端的具有变宽的所述第二宽度的所述后表面处的所述第二接触焊盘的部分处，在邻近所述导电侧形成件的所述切割端的所述前表面处的每个第一接触焊盘的变窄的所述第一宽度形成侧凹陷。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘密封剂填充所述侧凹陷。10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述导电侧形成件的所述切割端处的所述导电雕刻结构的所述后表面被减薄，以产生用于所述第二接触焊盘的可润湿侧面。11.一种安装基板，其特征在于，被配置为具有布置在其相应的...
【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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