微机电系统装置制造方法及图纸

本公开涉及微机电系统装置。该微机电系统装置是从单个半导体晶圆制造的。该微机电系统装置包括：基础区域，其包括半导体衬底；半导体材料的结构层，在基础区域上并且包括多个第一开口，结构层在横向上为至少一个功能元件划界；半导体材料的顶层，在结构层上并且包括多个第二开口；转换层，在顶层上并且在多个第二开口之上；以及半导体材料的密封层，在转换层上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
微机电系统装置


[0001]本公开涉及用于从单个半导体晶圆制造的MEMS(微机电系统)装置。

技术介绍

[0002]众所周知，例如，如今MEMS加速度计是可用的，其例如能够测量线性加速度、倾斜和振动。这些MEMS加速度计通常包括与周围环境隔离的真空腔体。这个腔体的产生被证明是存在问题的。典型地，该腔体是通过将帽盖晶圆和器件晶圆接合(bond)在一起而形成的；例如，可以执行玻璃熔块(frit)接合或金属接合，然而，除了需要使用两个图案化晶圆之外，两种方案还存在其他的一些缺点。
[0003]具体而言，两种方案都具有这样的特征：考虑到使两个晶圆接合的工艺产生的不均匀性，所生产的加速度计的品质因数的均匀性很低。
[0004]另外，对于玻璃熔块接合而言，玻璃熔块的印刷带来很高公差，这使得必须减小用于形成加速度计的有用面积。此外，帽盖晶圆被图案化，以便适应接合期间玻璃熔块浆的变形，这因而增大了所生产的加速度计的最终尺寸。此外，需要使用铅膏，这种材料对健康是潜在有害的。
[0005]对于金属接合而言，必须要在帽盖晶圆和器件晶圆上都图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微机电系统装置，其特征在于，所述微机电系统装置包括：基础区域，包括半导体衬底；半导体材料的结构层，在所述基础区域上并且包括多个第一开口，所述结构层在横向上为至少一个功能元件划界；半导体材料的顶层，在所述结构层上并且包括多个第二开口；转换层，在所述顶层上并且在所述多个第二开口之上；以及半导体材料的密封层，在所述转换层上。2.根据权利要求1所述的微机电系统装置，其特征在于，所述转换层包括多晶硅。3.根据权利要求2所述的微机电系统装置，其特征在于：所述转换层具有晶体结构，并且所述顶层和所述密封层包括多晶硅，并且具有晶体结构，所述晶体结构的晶粒平均大于所述转换层的晶体结构的晶粒。4.根据权利要求3所述的微机电系统装置，其特征在于，所述结构层包括多晶硅。5.根据权利要求1所述的微机电系统装置，其特征在于：所述基础区域、所述结构层和所述顶层为腔体划界，所述腔体与所述多个第二开口流体连通；并且所述功能元件悬置于所述腔体中。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：