惯性传感器及其制备方法、电子设备技术

本申请公开了一种惯性传感器及其制备方法、电子设备，该制备方法包括提供一支撑衬底；在所述支撑衬底上形成空腔；在形成所述空腔的支撑衬底表面上形成一绝缘层；图形化处理所述空腔内的绝缘层；将器件层设置于所述空腔上方，并与所述支撑衬底进行键合；在所述空腔上方的所述器件层上刻蚀空隙，形成悬空结构。在本发明专利技术实施例中，对空腔内的绝缘层进行图形化处理，可以将空腔内的绝缘材料基本移除，在后续形成悬空结构的过刻蚀过程中，因支撑衬底会在过刻蚀过程中被刻蚀掉一部分，因而可以消除刻蚀离子因电荷聚集的反弹效果，进而消除悬空结构的底部缺陷问题。结构的底部缺陷问题。结构的底部缺陷问题。

【技术实现步骤摘要】
惯性传感器及其制备方法、电子设备


[0001]本申请涉及半导体器件
，更具体的说，涉及一种惯性传感器及其制备方法、电子设备。

技术介绍

[0002]惯性MEMS传感器通常需要悬空的器件层(执行结构或感应结构)，在当前制备惯性MEMS传感器的过程中通常使用键合转移工艺将器件层与衬底结合。在现有技术中为确保器件层与衬底的高度绝缘，通常会在器件层与衬底间加入绝缘的氧化层，利用绝缘氧化层与器件层的键合作用实现器件层与衬底的结合。
[0003]在悬空结构刻蚀的过程中，当器件层刻穿后，为确保整片晶圆所有位置的器件层都能充分刻蚀完全，在执行刻蚀工艺过程中需要持续一段时间的过刻蚀。此时，刻蚀等离子体会在底部氧化层聚集电荷，从而对后续的等离子体造成一定排斥反弹作用，最终导致悬空结构底部，尤其是底部角落被反弹的等离子体刻蚀而形成如图1所示的底部缺陷现象。而缺陷会对器件性能造成严重的负面影响。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供了一种惯性传感器及其制备方法、电子设备，以解决现有技术中在刻蚀悬空结构的过程中，因过刻蚀导致悬空结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种惯性传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底上形成空腔；在形成所述空腔的支撑衬底表面上形成一绝缘层；图形化处理所述空腔内的绝缘层；将器件层设置于所述空腔上方，并与所述支撑衬底进行键合；在所述空腔上方的所述器件层上刻蚀空隙，形成悬空结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图形化处理形成于所述空腔内的绝缘层，包括：利用光刻刻蚀去除位于所述空腔内的绝缘层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图形化处理形成于所述空腔内的绝缘层过程中，还包括：在所述空腔内使用喷涂工艺形成涂胶层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，将器件层设置于所述空腔上方，并与所述支撑衬底进行键合之后，还包括：减薄处理所述器件层至预设厚度。5.一种惯性传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底上形成空腔；在形成所述空腔的支撑衬底表面上形成一绝缘层；在所述绝缘层的部分区域上形成一导电层；将器件层设置于所述空腔上方，并与所述支撑衬底进行键合；在所述空腔上方的所述器件层上刻蚀空隙，形成悬空结构。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述空腔内沉积一导电层之后，还包括：在所述导电层上使用喷涂工艺形成涂胶层。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将器件层设置于所述空腔上方，并与所述支撑衬底进行键合，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洋，朱莉莉，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：