压电MEMS传感器及其制备方法、电子设备技术

本申请公开了一种压电MEMS传感器及其制备方法、电子设备，通过在沉积底电极之前，通过在预设底电极Pad开口的位置处的衬底层上形成一预设厚度的电极，然后，只通过一次光刻工艺处理而露出底电极Pad并形成薄膜端部，不仅可以保证薄膜端部位置的底电极端部与其他两膜层端部对齐，还因为在预设置底电极Pad开口的位置处先沉积了一层预设厚度的电极，在一次光刻过程中，能够确保底电极Pad开口处的电学连接不受影响，实现通过一次光刻使薄膜端部位和底电极Pad开口均满足要求的目的。底电极Pad开口均满足要求的目的。底电极Pad开口均满足要求的目的。

【技术实现步骤摘要】
压电MEMS传感器及其制备方法、电子设备


[0001]本申请涉及半导体器件
，更具体的说，涉及一种压电MEMS传感器及其制备方法、电子设备。

技术介绍

[0002]现有技术中的压电MEMS传感器多为两层电极夹一层压电材料的结构，其通过一次刻蚀成型的方式形成整齐的悬臂结构。例如，如图1所示，为一种压电器件的简易截面图。通常情况下需要保证图1中所指出的薄膜端部位置的三层膜层端面对齐，这里的对齐包括但不限于如图1所示的垂直对齐，也包括以一定的角度倾斜对齐。
[0003]但因图1中底电极Pad下需要保留底电极膜层以实现Pad与底电极的电学连接，如果采用一次刻蚀成型时，无法选择性的只刻蚀薄膜端部的底电极而不刻蚀底电极Pad开口处的底电极。因此，在现有技术中，首先，单独沉积底电极层；然后，对底电极层在图1所示的薄膜端部位置进行单独图形化；最后，再沉积压电层与顶电极，进而只对顶电极与压电层进行刻蚀。
[0004]但是，因底电极与其余两层的图形化是分开执行的，存在无法避免两次光刻的对准偏移的情况，和/或，两次光刻的线宽存在差异的情况。从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压电MEMS传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底层；在所述衬底层的上表面预设底电极Pad开口的位置处形成预设厚度的电极；在所述电极和所述衬底层的上表面沉积底电极、压电层和顶电极；进行一次光刻，形成底电极Pad开口和薄膜端部。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底层的上表面预设底电极Pad开口的位置处形成预设厚度的电极，包括：在所述衬底层的上表面预设底电极Pad开口的位置处沉积一层或多层电极薄膜，对所述一层或多层电极薄膜进行图形化，得到具有预设厚度的电极；或者，在所述衬底层的上表面预设底电极Pad开口的位置处，刻蚀预设深度的沟槽；在所述沟槽中沉积电极，并进行CMP，使所述电极的上表面与所述衬底层的上表面处于同一水平面。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述一层或多层电极薄膜进行图形化包括：按照单级阶梯、多边形或直角梯形对所述一层或多层电极薄膜进行图形化。4.一种压电MEMS传感器，其特征在于，所述压电MEMS传感器包括：衬底层；设置于所述衬底层的上表面预设底电极Pad开口的位置处的预设厚度的电极；沉积于所述电极和所述衬底层的上表面的底电极、压电层和顶电极；底电极Pad开口和薄膜端部，其中，所述薄膜端部位置的底电极端部、压电层端部和顶电极端部对齐。5.根据权利要求4所述的压电MEMS传感器，其特征在于，所述衬底层包括半导体衬底层。6.根据权利要求4所述的压电MEMS传感器，其特征在于，所述预设厚度的电极的宽度大...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洋，朱莉莉，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：