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本申请公开了一种压电MEMS传感器及其制备方法、电子设备，通过在沉积底电极之前，通过在预设底电极Pad开口的位置处的衬底层上形成一预设厚度的电极，然后，只通过一次光刻工艺处理而露出底电极Pad并形成薄膜端部，不仅可以保证薄膜端部位置的底电极...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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