一种化合物半导体集成器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种化合物半导体集成器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法通过在化合物半导体异质外延片上制备多个器件区，并在需要相互隔离的所述器件区之间刻蚀出隔离槽，对隔离槽进行填充，然后在外延片表面制作互连介质层，在互连介质层中开设通孔，在该通孔内以及互连介质层表面沉积金属使器件区之间形成电学连接；最后对衬底进行减薄处理，使隔离槽完全贯穿衬底。通过该方法可以在异质外延衬底上实现集成器件或/和集成电路的衬底电位隔离。制备得到的化合物半导体集成器件的衬底之间能够实现对高频信号的阻断，并且不会因为寄生的电学结构对集成器件中的单个器件或电路的正常功能产生不利影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种化合物半导体集成器件及其制备方法。

技术介绍

1、通常，基于异质外延衬底的平面结构化合物半导体器件需要将器件源极与器件衬底电位相接，使得器件有源区各部分都处在具有相同电位的衬底上。例如在现有的商用硅基氮化镓功率晶体管中，与源极相接的p型高导si衬底使得采用插指结构并联的各个器件元胞具有相同的开关特性，保证各个器件元胞中电流均匀分布；同时，与器件源极处于相同偏置的器件衬底可以抑制化合物外延层中缺陷相关的动态特性退化。然而，在同一硅基氮化镓衬底上制备有多个协同工作的功率器件（构成诸如半桥、全桥变换器等电路）时，各个器件开关状态不同、各自源极电位不同。如半桥电路中，高侧晶体管导通时，处在高压的高侧晶体管源极通过衬底形成对其他器件的电应力，造成衬底上存在串扰。这些串扰会干扰其他器件工作，甚至直接形成器件源极之间的短路、导致电路烧毁。

2、此外，化合物半导体集成电路技术的发展还要求进一步集成逻辑电路、驱动电路、保护电路等功能模块。这些电路模块工作驱动电压较低，如宜普电源转换公司的epc23101芯片中与氮化镓功率集体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，步骤S3包括以下步骤中的任一种：

3.根据权利要求2所述的化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，步骤A~D中任一项步骤还包括以下步骤：对所述第一隔离槽两侧的所述化合物半导体层进行离子注入形成高阻区。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，步骤C中形成所述互连介质层的方法选自（a）或（b）两种方法中的一种；或，步骤A或B或D中形成所述互连介质层的方法选自（a）~（c）三种方法中的任意一...

【技术特征摘要】

1.一种化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，步骤s3包括以下步骤中的任一种：

3.根据权利要求2所述的化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，步骤a~d中任一项步骤还包括以下步骤：对所述第一隔离槽两侧的所述化合物半导体层进行离子注入形成高阻区。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，步骤c中形成所述互连介质层的方法选自（a）或（b）两种方法中的一种；或，步骤a或b或d中形成所述互连介质层的方法选自（a）~（c）三种方法中的任意一种；（a）~（c）三种方法的步骤如下：

5.根据权利要求4所述的化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，步骤（b）中所述电介质材料包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化铝、氮氧化铝中至少一种。

6.根据权利要求2所述的化合物半导体集成器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱厉阳，袁俊，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：