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本发明提供一种化合物半导体集成器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法通过在化合物半导体异质外延片上制备多个器件区，并在需要相互隔离的所述器件区之间刻蚀出隔离槽，对隔离槽进行填充，然后在外延片表面制作互连介质层，在互连介质层中开设通...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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