【技术实现步骤摘要】
一种改善散热的芯片封装结构及其制备方法
[0001]本专利技术属于半导体封装
，具体涉及一种改善散热的芯片封装结构及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着芯片内置电路集成度的不断增大，芯片单位体积内的工作电流密度和工作电压密度均有所增大，并且，单位体积空间内的金属走线长度也不断增大，导致芯片工作时产生的热量也急剧上升。在芯片的封装成品中，芯片的顶面和底面是表面积最大、热量密度最高的两个面，因此能将芯片热量有效导出的区域通常是芯片的顶面和底面，如何将芯片的热量高效传导出芯片的封装模块成为限制芯片集成度进一步提高的瓶颈。
[0003]在芯片的封装模块中，布设在芯片周围的封装材料是高分子树脂基底的塑封料，与芯片底面相接触的是底填胶和封装基板或PCB板或再布线结构(RDL)，而对芯片的顶面通常不采用任何高导热的结构设计。这种芯片封装结构已难以解决市场上不断增大的集成度需要解决的散热问题。
[0004]目前通过各种技术改进来提高封装基板的导热系数，从而达到提高功率芯片散热效果的目的；但是封装基板是作为功率芯片封...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善散热的芯片封装结构，其特征在于，包括依次连接的导热板、TIM胶、芯片包封层、重布线层以及外联接件，所述芯片包封层中设有工作芯片，所述工作芯片的无源面与所述TIM胶接触；所述TIM胶中设有多个传热柱，所述传热柱上下两端分别与所述芯片包封层和所述导热板连接；所述多个传热柱中至少有一部分设置在所述工作芯片的无源面上并与其形成硅基合金连接；所述传热柱与所述导热板形成金属合金或硅
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金属的共晶结构。2.根据权利要求1所述的一种改善散热的芯片封装结构，其特征在于：所述多个传热柱呈阵列式分布。3.根据权利要求1所述的一种改善散热的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片包封层中还包括设置在所述工作芯片周围的伪芯粒，所述伪芯粒与所述重布线层连接。4.根据权利要求3所述的一种改善散热的芯片封装结构，其特征在于：所述伪芯粒通过导电互联部件或胶膜与所述重布线层连接。5.根据权利要求4所述的一种改善散热的芯片封装结构，其特征在于：所述胶膜采用DAF膜或NCF膜。6.根据权利要求1所述的一种改善散热的芯片封装结构，其特征在于：所述导热板上还具有散热翅片结构。7.一种改善散热的芯片封装结构制备方法，其特征在于，包括如下步骤：准备具有临时键合膜的载板，在其上...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宗怿，梁新夫，郭良奎，丁晓春，倪洽凯，吴红儒，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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