衬底转移设备制造技术

一种衬底转移设备，包括与衬底的前表面相邻的多个保持单元。多个保持单元包括用于不接触地保持衬底的多个保持表面。多个真空孔设置在多个保持表面中以向衬底提供吸力。多个气孔设置在多个保持表面中以向衬底提供与吸力相反的浮力。间隔调整单元调整多个保持单元之间的间隔，使得从多个保持表面延伸的保持区域的大小对应于衬底的前表面的大小。大小对应于衬底的前表面的大小。大小对应于衬底的前表面的大小。

【技术实现步骤摘要】
衬底转移设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0134253的权益和优先权，所述申请的公开内容以引用的方式全部并入本文。


[0003]本专利技术构思涉及半导体，并且更具体地，涉及一种半导体衬底转移设备和使用该设备的方法。

技术介绍

[0004]半导体正变得更小，同时它们包括更多的电路，并且因此半导体变得更高度集成。半导体可被更高度集成的一种方式是执行被称为直接接合的工艺，在该工艺中，一个半导体晶片被直接接合到另一半导体晶片的表面，而无需每个半导体必须被独立封装和布线。这种工艺被称为直接接合。在直接接合中，分别对第一半导体晶片和第二半导体晶片的接合表面进行等离子体处理，并且将第一半导体晶片转移并附着到第二半导体晶片。然而，在保持要被转移的第一半导体晶片的工艺中，可能存在第一半导体晶片的等离子体处理表面可能被污染的问题。

技术实现思路

[0005]一种衬底转移设备，包括具有多个模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底转移设备，包括：主体单元，其包括多个模块，其中，所述多个模块中的每个模块包括用于保持衬底的前表面的多个保持表面，其中，所述多个保持表面中的每个保持表面具有与所述衬底的所述前表面的边缘重叠的一个或多个侧边；多个真空孔，其设置在所述多个保持表面中，并形成负压力以向所述衬底提供吸力；多个气孔，其设置在所述多个保持表面中，并形成正压力以向所述衬底提供浮力；以及驱动单元，其用于调整所述多个模块中的每个模块之间的间隔。2.如权利要求1所述的衬底转移设备，其中，所述多个保持表面中的每个保持表面相对于所述主体单元的中心轴对称地设置。3.如权利要求2所述的衬底转移设备，其中，所述主体单元还包括具有保持表面的中央模块，所述保持表面在与所述主体单元的中心轴对应的区域中不与所述前表面的边缘重叠。4.如权利要求2所述的衬底转移设备，其中，在所述主体单元中，在与所述主体单元的中心轴对应的区域中不设置保持表面。5.如权利要求1所述的衬底转移设备，其中，由所述多个保持表面中的每个保持表面提供的正压力的大小彼此相等，并且由所述多个保持表面中的每个保持表面提供的负压力的大小彼此相等。6.如权利要求1所述的衬底转移设备，其中，所述驱动单元包括分别对应于所述多个模块的多个驱动单元，其中，所述多个驱动单元中的每个驱动单元使所述多个模块中的对应模块相对于所述主体单元的中心轴移动。7.如权利要求6所述的衬底转移设备，其中，所述多个驱动单元中的每个驱动单元与所述多个模块中的每个模块以相等的间距间隔开。8.如权利要求7所述的衬底转移设备，其中，所述多个驱动单元中的每个驱动单元还包括用于线性地移动所述多个模块的线性台。9.如权利要求1所述的衬底转移设备，其中，所述多个真空孔中的邻近所述多个保持表面的所述一个或多个侧边的真空孔具有台阶式凹槽形状。10.如权利要求1所述的衬底转移设备，其中，所述多个气孔中的每个气孔具有比所述多个真空孔中的每个真空孔的宽度窄的宽度。11.如权利要求1所述的衬底转移设备，其中，所述多个气孔的数量大于所述多个真空孔的数量。12.如权利要求1所述的衬底转移设备，其中，由所述多个气孔中的每个气孔提供的正压力的总和的大小大于由所述多个真空孔中的每个真空孔提供的负压力的总和的大小。13.如权利要求1所述的衬底转移设备，其中，所述衬底的厚度为100μm或更小。14.一种衬底转移设备，包括：多个保持元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金柱鲁，闵大浩，李民雨，金俊亨，任京彬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：