一种复合掩膜版的制备方法技术

一种复合掩膜版的制备方法，包括如下步骤：S1：在掩膜版上设置有光刻图；S2：通过光刻图去除部分光阻；S3：电铸掩膜版，在掩膜版上均匀涂布高分子膜层；S4：将高分子膜层固化成型；S5：对固化后的高分子膜层进行脉冲钻孔，开出带锥角的类圆锥台孔洞，该孔洞的进口比出口孔径大，锥角范围控制在30

【技术实现步骤摘要】
一种复合掩膜版的制备方法


[0001]本专利技术涉及电子设备加工领域，具体涉及一种复合掩膜版的制备方法。

技术介绍

[0002]FMM(fine metal mask，精密掩膜版)是制备OLED器件的关键治具。多采用低膨胀系数的金属或合金作为基材。目前主流的FMM生产工艺技术分为两种，一是蚀刻，二是电铸。
[0003]采用蚀刻法的缺陷在于蚀刻液蚀刻作用各向同性的特性，开孔尺寸与厚度接近，再加之蚀刻所用的Invar合金厚度较厚30um左右，故开孔尺寸较大，无法达到高PPI的目标。
[0004]电铸法能有效控制掩膜版的厚度。，由于电铸二元合金存在较大难度，大多厂商多采用Ni等单一磁性金属作为基材。但Ni本身热膨胀系数达到1.3*10
‑5/K,这远远无法满足OLED蒸镀对于低热膨胀系数的要求(3*10
‑6/K)。且电铸在控制基板厚度的同时，很难控制Taper角。
[0005]故现行电铸工艺很难满足OLED蒸镀要求，急需一种新的掩膜版制备方法。

技术实现思路

[0006]本专利技术目的在于，在掩膜版制备工艺中有效克服电铸基板导致的热膨胀和精确控制开孔角度的难题。
[0007]因此，提出一种复合掩膜版的制备方法，具体技术方案如下：
[0008]一种复合掩膜版的制备方法，其特征在于：
[0009]包括如下步骤：
[0010]S1：在掩膜版上设置有光刻图；
[0011]S2：通过光刻图去除部分光阻；
[0012]S3：电铸掩膜版，在掩膜版上均匀涂布高分子膜层；
[0013]S4：将高分子膜层固化成型；
[0014]S5：对固化后的高分子膜层进行脉冲钻孔，开出带锥角的类圆锥台孔洞，该孔洞的进口比出口孔径大，锥角范围控制在30
°‑
120
°
；
[0015]S6：用清洗液去掉剩下的光阻；
[0016]S7：对激光开孔残留进行清洗，将掩膜版烘干后，完成制备。
[0017]为更好的实现本专利技术，可进一步地：
[0018]所述S4中，高分子膜层通过激光热处理或烘烤固化成型。
[0019]进一步地：所述高分子采用低热膨胀系数材料，所述高分子膜层的材料选用聚酰亚胺、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或石墨烯。
[0020]进一步地：所述S5中，通过采用Yb:KGW飞秒激光器的飞秒激光脉冲进行钻孔。
[0021]进一步地：所述Yb:KGW飞秒激光器采用的参数为，中心波长1024nm，平均功率6W，脉冲持续时间190fs，脉冲重复频Yb:KGW飞秒激光器率200KHz，脉冲最大能量1mJ，通过变换脉冲振幅1um
‑
100um调节taper角，taper角为锥度角。
[0022]进一步地：所述孔洞的进口孔径大小1
‑
40um。
[0023]进一步地：所述高分子膜层的厚度控制在5um
‑
100um之间。
[0024]进一步地：所述清洗液采用氢氟醚。
[0025]进一步地：所述高分子膜层采用聚酰亚胺。
[0026]进一步地：所述掩膜版采用Ni，Fe，Co。
[0027]本专利技术的有益效果为：
[0028]第一，本专利技术通过在电铸掩膜版上增加一层与金属贴合的高分子低热膨胀系数材料，由于增加层的附着力作用可以有效的减弱电铸掩膜版的热膨胀，解决了电铸掩膜版的热膨胀问题。
[0029]第二，本专利技术在增加的材料层进行对位激光开孔，通过飞秒激光的作用开出带有一定taper角的通孔，解决了电铸在薄化过程中，难以有效控制taper角的难点。
附图说明
[0030]图1为本专利技术的工作具体流程图；
[0031]图2为涂光阻示意图；
[0032]图3为制作孔洞示意图；
[0033]图4为孔洞完成示意图；
[0034]图5电铸示意图；
[0035]图6电铸完成示意图；
[0036]图7涂高分子层示意图；
[0037]图8高分子和金属连接的示意图；
[0038]图9激光开孔示意图；
[0039]图10开孔完成后的示意图；
[0040]图中附图说明为，阴极板1、光阻2、UV光3、mask4、电镀液5、金属块6、阳极板7、高分子膜8、激光9。
具体实施方式
[0041]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0042]如图1所示：
[0043]一种复合掩膜版的制备方法，包括如下步骤：
[0044]S1：如图2所示，在阴极板上设置有光阻，光阻的厚度为3
‑
30um，
[0045]S2：如图3和图4所示，在光阻表面设置有掩膜版孔洞图，通过UV光照射显影，去除多余光阻；
[0046]S3：如图5所示，在阴极板上方相对设置有阳极板，在阴极板和阳极板之间设置有电镀液，得到电铸金属层。如图6所示，该电铸金属层的厚度与光阻厚度一致。在本实施例中，金属层为Ni.金属层也可采用Fe，Co或者与其他元素的组合；
[0047]S4：如图7所示，在金属层和光阻层的表面均匀涂布高分子膜层，高分子膜层的厚度控制在3
‑
50um之间。该高分子采用低热膨胀系数材料，所述高分子膜层的材料选用聚酰亚胺、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或石墨烯。
[0048]将高分子膜层固化成型，具体为，高分子膜层通过激光热处理或烘烤固化成型。
[0049]S5：如图8所示，去除阴极板和光阻，得到下表面带金属块的高分子膜层。
[0050]S6：如图9所示，采用Yb:KGW飞秒激光器通过飞秒激光脉冲对固化后的高分子膜层进行脉冲钻孔，开出带锥角的类圆锥台孔洞，该孔洞的进口比出口孔径大，孔径的进口大小1
‑
40um，锥角范围控制在30
°‑
120
°
，具体结构如图10所示。
[0051]该飞秒激光器的中心波长1024nm，平均功率6W，脉冲持续时间190fs，脉冲重复频率200KHz，脉冲最大能量1mJ，通过变换脉冲振幅1um
‑
100um调节taper角。
[0052]S7：用氢氟醚清洗，激光开孔残留，烘干，完成。
[0053]对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合掩膜版的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：在掩膜版上设置有光刻图；S2：通过光刻图去除部分光阻；S3：电铸掩膜版，在掩膜版上均匀涂布高分子膜层；S4：将高分子膜层固化成型；S5：对固化后的高分子膜层进行脉冲钻孔，开出带锥角的类圆锥台孔洞，该孔洞的进口比出口孔径大，锥角范围控制在30
°‑
120
°
；S6：用清洗液去掉剩下的光阻；S7：对激光开孔残留进行清洗，将掩膜版烘干后，完成制备。2.根据权利要求1所述一种复合掩膜版的制备方法，其特征在于：所述S4中，高分子膜层通过激光热处理或烘烤固化成型。3.根据权利要求2所述一种复合掩膜版的制备方法，其特征在于：所述高分子采用低热膨胀系数材料，所述高分子膜层的材料选用聚酰亚胺、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或石墨烯。4.根据权利要求3所述一种复合掩膜版的制备方法，其特征在于：所述S5中，通过采用Yb:KGW飞秒激光器的飞秒激光脉冲进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琪，赵伍，吴界煌，莊孟儒，蒋畅，蔡姬妹，
申请(专利权)人：重庆翰博显示科技研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：