磁控管靶联接器和支承设备制造技术

涉及一种磁控管靶联接器和支承设备。根据各种实施方式，磁控管靶联接器(301)包括：靶联接器法兰(702)；轴(808)，该轴在端侧与靶联接器法兰(702)刚性联接，并且在与靶联接器法兰(702)相对置的一侧上具有第一线性支承件部件(8081)；通信接口(704)，该通信接口具有相互电耦联的第一通信电极(704a)和第二通信电极(704b)；其中第二通信电极(704b)在与轴(808)相对置的一侧上刚性地固定在靶联接器法兰(702)处，其中靶联接器法兰(702)设置在第一通信电极(704a)和第二通信电极之间(704b)；其中第一通信电极(704a)被支承，使得其朝向第二通信电极(704b)位移和/或远离其位移。信电极(704b)位移和/或远离其位移。信电极(704b)位移和/或远离其位移。

【技术实现步骤摘要】
磁控管靶联接器和支承设备


[0001]各种实施例涉及磁控管靶联接器和支承设备。

技术介绍

[0002]一般而言，工件或基板可以被工艺处理，例如机加工、覆层、加热、蚀刻和/或结构改变。用于对基板覆层的方法例如是阴极原子化(所谓的溅射)，阴极原子化是物理气相沉积(PVD)类型的。例如，一个或多个层可以借助于溅射(即通过溅射工艺)沉积在基板上。为此，可以借助于阴极将形成等离子体的气体离子化，其中可以借助于在此形成的等离子体将待沉积的材料(靶材料)原子化。然后可以将原子化的靶材料引导至基板，靶材料可以在基板处沉积并且形成层。
[0003]对阴极原子化的修改是借助于磁控管进行溅射，即所谓的磁控溅射，或所谓的反应磁控溅射。在此，可以借助于磁场来支持等离子体的形成。磁场可以由磁体系统产生并且穿透阴极(也称为磁控管阴极)，使得在靶材料表面(靶表面)处可以构成环形等离子体通道，即所谓的轨道，在该等离子体通道中可以形成等离子体。
[0004]等离子体的空间分布和与之相关的原子化速率非常敏感地取决于磁场的空间分布。因此，磁体系统对于各种工艺特性，诸如工艺稳定性、再现性、靶利用率和均匀性方面具有特别重要的意义。在此背景下，存在对改进，比如简化磁体系统和/或减少干扰性影响的基本需求。

技术实现思路

[0005]各种实施方式的一个方面可以直观地在于：提供与可调节的磁场的通信。借助对磁场的调节，可以影响靶材料的雾化，例如使得可以进行尽可能均匀的分子化溅射和/或覆层。与之相关，已经直观的认识到：用于通信的、为此使用的部件经受各种干扰，这使与磁体系统的通信或磁场的调节变得困难。
[0006]根据各种实施方式，提供呈磁控管靶联接器形式的连续组件，该组件具有轴向可调节的通信接口。通信接口可提供磁体系统与支承设备的通信耦联，使得可以更可靠地操控磁体系统。直观地，轴向可调节的通信接口实现：更好地补偿公差和热膨胀。这减少了与磁体系统的通信的干扰。
[0007]可选地，通信接口设计用于与磁体系统或支承设备的非接触式通信，这减少磨损，或避免移动滑动触点。
附图说明
[0008]附图示出
[0009]图1、图2和图4分别以各种视图示出根据各种实施方式的磁体系统；
[0010]图3A、图5和图10分别以不同示意图示出根据各种实施方式的溅射设备，并且图3B示出溅射设备的磁体系统；
[0011]图6以示意横截面图示出根据各种实施方式的磁体系统的壳体盖；
[0012]图7和图12分别以各种示意图示出根据各种实施方式的磁控管靶联接器；
[0013]图8和图13分别以不同的示意图示出根据各种实施方式的通信组件；
[0014]图9以示意横截面图示出根据各种实施方式的支承设备；和
[0015]图11以示意立体图示出根据各种实施方式的支承设备的转动支承件。
具体实施方式
[0016]在下面详细的说明书中参考附图，附图形成说明书的一部分，并且其中示出可以实施本专利技术的具体的实施形式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的取向而使用方向术语例如是“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施形式的部件可以以多个不同的取向来定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。应当理解的是，在不偏离本专利技术的保护范围的情况下，可以使用其他的实施方式并且可以进行结构上的或逻辑上的改变。应当理解的是，只要没有特殊地另外说明，可以将在此描述的不同的示例性实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为限制性的意义，并且本专利技术的保护范围由所附的权利要求来限定。
[0017]在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接(例如欧姆和/或导电，例如导电连接)、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或类似的元件设有相同的附图标记。
[0018]根据各种实施方式，术语“经耦联”或“耦联”可以理解为(例如机械、流体静力、热和/或电)例如直接或间接的连接和/或相互作用。例如，多个元件可以沿着相互作用链彼此耦联，沿着相互作用链可以交换相互作用，例如流体(于是也称为流体引导耦联)。例如，两个相互耦联的元件可以相互交换彼此间的相互作用，例如机械、流体静力、热和/或电相互作用。多个真空部件(例如阀、泵、腔室等)彼此的耦联可以包括：它们是引导流体相互耦联的。根据各种实施方式，“联接”可以理解为机械(例如，实体的或物理的)耦联，例如借助于直接的实体接触。联接器可以设计用于：传递机械相互作用(例如，力、转矩等)。
[0019]在此，术语“支承设备”表示设计用于支承(例如，受引导地定位和/或保持)一个构件或多于一个构件的设备。支承设备可以例如对于每个构件(该构件借助于支承设备来支承)具有一个或多于一个支承件，以支承(例如，受引导地定位和/或保持)构件。支承设备的每个支承件可以设计用于：为构件提供一个或多于一个自由度(例如，一个或多于一个平移自由度和/或一个或多于一个旋转自由度)，构件可以根据该自由度移动。支承件的示例包括：径向支承件、轴向支承件、径向推力支承件、线性支承件(也称为线性引导装置)。
[0020]术语“溅射”表示借助于等离子体将材料原子化(也称作为覆层材料或靶材料)，该材料作为所谓的靶材料来提供。因此，靶材料的原子化的组成部分彼此分离并且例如可以堆积以形成层。溅射可以借助于所谓的溅射设备进行，溅射设备可以具有磁体系统(溅射设备于是也称为磁控管)。为了溅射，可以将磁控管设置在真空工艺处理腔室中，使得可以在真空中进行溅射。为此，可以在溅射期间设定或调节真空工艺处理腔室内的环境条件(工艺条件)(例如压力、温度、气体组分等)。例如，真空工艺处理腔室可以气密、防尘和/或真空密封地设计，使得可以在真空工艺处理腔室内提供具有预定组分或预定压力(例如根据预定值)的气体气氛。例如，离子形成气体(工艺气体)或气体混合物(例如由工艺气体和反应气
体构成)可以在工艺处理腔室中被提供。例如，在反应磁控溅射中，原子化的材料可以与反应气体(例如，具有氧、氮和/或碳)反应，并且可以分离由此形成的反应产物(例如，电介质)。
[0021]溅射可以借助于所谓的管形磁控管进行，其中具有靶材料的管形的靶(也称为管形靶或管形阴极)轴向地围绕磁体系统旋转。可以借助于调节磁体系统或借助于改变借此产生的磁场来影响靶材料的溅射进而改变空间分布，靶材料以该空间分布被剥离。
[0022]管形阴极和磁体系统可以借助于支承设备(也称为靶支承设备)来支承，支承设备可以可相对于磁体系统转动的方式支承管形阴极。支承设备例如可以具有一个或多于一个端块，其中支承设备的每个端块保持管形阴极或磁体系统的端部部段。支承设备(例如，其一个或多个端块)还可以提供对管形阴极的供应(例如供应电功率、转动运动和/或冷却流体)。
[0023]根据各种实施方式，溅射设备的端块(于是也称为驱动端块)可以具有用于将转动运动传递到管形阴极的驱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控管靶联接器(301)，其特征在于，包括：靶联接器法兰(702)，用于联接管形靶；轴(808)，所述轴与所述靶联接器法兰(702)刚性联接，并且在与所述靶联接器法兰(702)相对置的端部部段处具有第一线性支承件部件(8081)；通信接口(704)，所述通信接口具有相互电耦联的第一通信电极(704a)和第二通信电极(704b)，所述第一通信电极设置在所述第一线性支承件部件(8081)和所述靶联接器法兰(702)之间，其中所述靶联接器法兰(702)与所述第二通信电极(704b)刚性联接，并且设置在所述第一通信电极(704a)和所述第二通信电极(704b)之间；其中所述第一通信电极(704a)被支承，使得所述第一通信电极能够朝向所述第二通信电极(704b)位移和/或远离所述第二通信电极位移。2.根据权利要求1所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第一通信电极(704a)和/或所述第二通信电极(704b)具有板和/或被封装。3.根据权利要求1所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，还包括：弹簧弹性元件(714f)，所述弹簧弹性元件将所述第一通信电极(704a)和所述第二通信电极(704b)彼此联接，使得所述第一通信电极(704a)能够克服所述弹簧弹性元件的恢复力朝向所述第二通信电极(704b)位移。4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第一通信电极(704a)能够朝向所述第二通信电极(704b)位移的路段是所述第一线性支承件部件(8081)平行于所述路段的扩展的至少50％。5.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第一线性支承件部件(8081)具有转矩支柱。6.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第一通信电极(704a)具有留空部，所述轴(808)延伸穿过所述留空部。7.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述通信接口(704)与所述靶联接器法兰(702)和/或所述轴(808)电隔离。8.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，还包括：线性支承件，借助所述线性支承件以能位移的方式支承所述第一通信电极(704a)。9.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第二通信电极(704b)具有贯通开口，所述贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：冯，
类型：新型
国别省市：