磁控管靶联接器和支承设备制造技术

涉及一种磁控管靶联接器和支承设备。根据各种实施方式，磁控管靶联接器(301)包括：靶联接器法兰(702)；轴(808)，该轴在端侧与靶联接器法兰(702)刚性联接，并且在与靶联接器法兰(702)相对置的一侧上具有第一线性支承件部件(8081)；通信接口(704)，该通信接口具有相互电耦联的第一通信电极(704a)和第二通信电极(704b)；其中第二通信电极(704b)在与轴(808)相对置的一侧上刚性地固定在靶联接器法兰(702)处，其中靶联接器法兰(702)设置在第一通信电极(704a)和第二通信电极之间(704b)；其中第一通信电极(704a)被支承，使得其朝向第二通信电极(704b)位移和/或远离其位移。信电极(704b)位移和/或远离其位移。信电极(704b)位移和/或远离其位移。

【技术实现步骤摘要】
磁控管靶联接器和支承设备


[0001]各种实施例涉及磁控管靶联接器和支承设备。

技术介绍

[0002]一般而言，工件或基板可以被工艺处理，例如机加工、覆层、加热、蚀刻和/或结构改变。用于对基板覆层的方法例如是阴极原子化(所谓的溅射)，阴极原子化是物理气相沉积(PVD)类型的。例如，一个或多个层可以借助于溅射(即通过溅射工艺)沉积在基板上。为此，可以借助于阴极将形成等离子体的气体离子化，其中可以借助于在此形成的等离子体将待沉积的材料(靶材料)原子化。然后可以将原子化的靶材料引导至基板，靶材料可以在基板处沉积并且形成层。
[0003]对阴极原子化的修改是借助于磁控管进行溅射，即所谓的磁控溅射，或所谓的反应磁控溅射。在此，可以借助于磁场来支持等离子体的形成。磁场可以由磁体系统产生并且穿透阴极(也称为磁控管阴极)，使得在靶材料表面(靶表面)处可以构成环形等离子体通道，即所谓的轨道，在该等离子体通道中可以形成等离子体。
[0004]等离子体的空间分布和与之相关的原子化速率非常敏感地取决于磁场的空间分布。因此，磁体系统对于各种工艺特性，诸如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控管靶联接器(301)，其特征在于，包括：靶联接器法兰(702)，用于联接管形靶；轴(808)，所述轴与所述靶联接器法兰(702)刚性联接，并且在与所述靶联接器法兰(702)相对置的端部部段处具有第一线性支承件部件(8081)；通信接口(704)，所述通信接口具有相互电耦联的第一通信电极(704a)和第二通信电极(704b)，所述第一通信电极设置在所述第一线性支承件部件(8081)和所述靶联接器法兰(702)之间，其中所述靶联接器法兰(702)与所述第二通信电极(704b)刚性联接，并且设置在所述第一通信电极(704a)和所述第二通信电极(704b)之间；其中所述第一通信电极(704a)被支承，使得所述第一通信电极能够朝向所述第二通信电极(704b)位移和/或远离所述第二通信电极位移。2.根据权利要求1所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第一通信电极(704a)和/或所述第二通信电极(704b)具有板和/或被封装。3.根据权利要求1所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，还包括：弹簧弹性元件(714f)，所述弹簧弹性元件将所述第一通信电极(704a)和所述第二通信电极(704b)彼此联接，使得所述第一通信电极(704a)能够克服所述弹簧弹性元件的恢复力朝向所述第二通信电极(704b)位移。4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第一通信电极(704a)能够朝向所述第二通信电极(704b)位移的路段是所述第一线性支承件部件(8081)平行于所述路段的扩展的至少50％。5.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第一线性支承件部件(8081)具有转矩支柱。6.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第一通信电极(704a)具有留空部，所述轴(808)延伸穿过所述留空部。7.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述通信接口(704)与所述靶联接器法兰(702)和/或所述轴(808)电隔离。8.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，还包括：线性支承件，借助所述线性支承件以能位移的方式支承所述第一通信电极(704a)。9.根据权利要求1至3中任一项所述的磁控管靶联接器(301)，其特征在于，所述第二通信电极(704b)具有贯通开口，所述贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：冯，
类型：新型
国别省市：