半导体结构及其有源区的顶角的圆角化方法技术

本申请提供了一种有源区的顶角的圆角化方法及半导体结构。所述方法包括：提供一基底，所述基底具有保护层以及多个凹槽，所述凹槽的侧壁及底部覆盖有氧化层；于所述凹槽内的所述氧化层表面形成浅沟槽隔离结构，相邻两所述浅沟槽隔离结构之间形成有源区；对所述浅沟槽隔离结构进行氧化处理，以增大所述有源区与所述浅沟槽隔离结构接触的顶角的氧化层的曲率半径，实现有源区的顶角的圆角化。上述技术方案，通过对有源区的顶角处的氧化层进行二次氧化，增大了有源区的顶角的曲率半径，满足有源区边缘顶角的圆角化要求，避免器件的电性结果或者可靠性等达不到预期结果，提高了产品的良率。提高了产品的良率。提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其有源区的顶角的圆角化方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其有源区的顶角的圆角化方法。

技术介绍

[0002]现有的深亚微米工艺中，一般会采用光刻、刻蚀、表面氧化(liner oxide)、热退火以修复有源区的表面硅晶格，二氧化硅(SiO2)沉积以及平坦化等步骤，形成浅槽隔离结构(Shallow trench isolation，缩写为STI)。有源区与浅沟槽隔离结构接触的边缘形成顶角。
[0003]但是，最终形成的有源区边缘顶角的圆角化不足，会影响栅氧化物完整性(Gate Oxide Integrity，缩写为GOI)及与时间相关的介电击穿(Time Dependent Dielectric Breakdown，缩写为TDDB)，造成器件的电性结果或者可靠性等达不到预期结果。
[0004]因此，提供一种能满足有源区边缘顶角的圆角化要求，以避免器件的电性结果或者可靠性等达不到预期结果的有源区的顶角的圆角化方法是亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请所要解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源区的顶角的圆角化方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基底，所述基底具有保护层以及多个凹槽，所述凹槽的侧壁及底部覆盖有氧化层；于所述凹槽内的所述氧化层表面形成浅沟槽隔离结构，相邻两所述浅沟槽隔离结构之间形成有源区；对所述浅沟槽隔离结构进行氧化处理，以增大所述有源区与所述浅沟槽隔离结构接触的顶角的氧化层的曲率半径，实现有源区的顶角的圆角化。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一基底的步骤进一步包括：提供一硅衬底；于所述硅衬底上形成所述保护层；提供一光罩，以所述光罩为掩膜板，依次刻蚀所述保护层及所述硅衬底，以形成多个凹槽；于所述凹槽的侧壁及底部形成氧化层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述于所述凹槽的侧壁及底部形成氧化层的步骤进一步包括：采用干法于所述凹槽的侧壁及底部形成厚度为10纳米～20纳米的氧化层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述凹槽内的所述氧化层表面形成浅沟槽隔离结构，相邻两所述浅沟槽隔离结构之间形成有源区的步骤进一步包括：采用高密度等离子体化学气相沉积的方式沉积二氧化硅以填充所述凹槽并平坦化，以在所述凹槽内的所述氧化层表面形成浅沟槽隔离结构，相邻两所述浅沟槽隔离结构之间形成有源区。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述平坦化采用化学机械抛光的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶蕾，王峰，黄永彬，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：