半导体结构的制造方法技术

本公开提供一种半导体结构的制造方法，应用于集成电路技术领域，包括：提供衬底；在所述衬底中形成平行的多个第一槽；清洗并干燥所述多个第一槽，使用绝缘材料对所述第一槽进行第一填充；在所述衬底中形成与所述第一槽平行的多个第二槽，至少一个所述第二槽位于相邻两个所述第一槽之间；清洗并干燥所述多个第二槽，使用所述绝缘材料对所述第二槽进行第二填充。本公开实施例可以避免凹槽在湿法清洁过程中出现凹槽侧壁形变。出现凹槽侧壁形变。出现凹槽侧壁形变。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本公开涉及集成电路制造
，具体而言，涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造工艺的发展，器件尺寸越来越小，间距越来越小，形成的凹槽的深宽比越来越大。由于集成电路制造过程中需要对形成的凹槽进行清洗并干燥，且通常使用液体清洗并干燥液，液体的表面张力相比凹槽侧壁的支撑力大，会对凹槽两侧的凹槽侧壁（尤其是凹槽侧壁上部）形成拉力，从而造成凹槽侧壁发生形变（相邻两个凹槽侧壁的上部被拉到贴合在一起），影响后续工艺制程。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于提供一种半导体结构的制造方法，以解决凹槽清洗并干燥过程中液体清洗并干燥剂的张力导致的凹槽侧壁发生形变的问题。
[0005]根据本公开的第一方面，提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成平行的多个第一槽；清洗并干燥所述多个第一槽，使用绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成平行的多个第一槽；清洗并干燥所述第一槽，使用绝缘材料对所述第一槽进行第一填充；在所述衬底中形成与所述第一槽平行的多个第二槽，至少一个所述第二槽位于相邻两个所述第一槽之间；清洗并干燥所述第二槽，使用所述绝缘材料对所述第二槽进行第二填充。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，相邻两个所述第一槽之间均具有第一间距。3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，相邻两个所述第二槽之间均具有第一间距。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二槽与其两侧分别相邻的两个所述第一槽之间的间距相等。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，位于两个所述第一槽之间的所述第二槽与相邻的两个第一槽之间的间距不等。6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在填充所述第二槽之后，还包括：在所述衬底中形成与所述第一槽平行的多个第三槽，所述第三槽位于所述第一槽和所述第二槽之间，相邻两个所述第一槽之间设置有一个所述第二槽和一个所述第三槽；清洗并干燥所述多个第三槽后，使用所述绝缘材料对所述第三槽进行第三填充。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，位于所述第一槽和所述第二槽之间的所述第三槽，与其相邻的所述第一槽和所述第二槽的距离相等。8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一槽与所述第二槽的深度相等，宽度相等，长度相等。9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘材料包括氧化物。10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成平行的多个第一槽包括：在所述衬底上顺次形成第一绝缘层、第一硬掩模层、第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上形成与所述第一槽位置对应的图形后，蚀刻所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅晓波，时旭，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：