浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构技术

本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构。浅沟槽隔离结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构；于所述基底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有开口；其中，所述开口暴露出所述初始浅沟槽隔离结构；基于所述开口，对所述初始浅沟槽隔离结构进行掺杂，以改变外露于所述基底的初始浅沟槽隔离结构的刻蚀特性，得到浅沟槽隔离结构。通过改变外露于基底的初始浅沟槽隔离结构的刻蚀特性，使得获得的浅沟槽隔离结构的外露于基底的这部分结构不易被刻蚀，后续制程中各种刻蚀、清洗工艺不会对浅沟槽隔离结构造成破坏，避免在浅沟槽隔离结构中产生凹坑，帮助提升器件性能。帮助提升器件性能。帮助提升器件性能。

【技术实现步骤摘要】
浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，半导体工艺制程的相关技术和半导体结构的相关产品也在不断改进。
[0003]在常规的半导体器件的生产工艺中，在形成浅沟槽隔离结构的工艺过程中以及形成浅沟槽隔离结构之后，工艺制程不可避免会涉及到刻蚀、清洗等工艺，会对浅沟槽隔离结构造成刻蚀破坏等，会在浅沟槽隔离结构上表面的边缘区域产生凹坑(Divot)。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述的浅沟槽隔离结构上表面的边缘区域产生凹坑的问题提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法、浅沟槽隔离结构及半导体器件的制备方法。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：
[0006]提供基底；
[0007]于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构；
[0008]于所述基底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有开口；其中，所述开口暴露出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构；于所述基底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有开口；其中，所述开口暴露出所述初始浅沟槽隔离结构；基于所述开口，对所述初始浅沟槽隔离结构进行掺杂，以改变外露于所述基底的初始浅沟槽隔离结构的刻蚀特性，得到浅沟槽隔离结构。2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述基于所述开口，对所述初始浅沟槽隔离结构进行掺杂，包括：基于所述开口，对所述初始浅沟槽隔离结构进行特征离子掺杂，以改变外露于所述基底的初始浅沟槽隔离结构的刻蚀速率。3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述对所述初始浅沟槽隔离结构进行特征离子掺杂，包括：对所述初始浅沟槽隔离结构进行氮离子或碳离子掺杂。4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述对所述初始浅沟槽隔离结构进行掺杂，包括：对所述初始浅沟槽隔离结构进行掺杂，以于所述初始浅沟槽隔离结构内形成阻挡层；其中，所述阻挡层外露于所述基底。5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度大于外露于所述基底的初始浅沟槽隔离结构的厚度。6.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘欠欠，李钊，黄永彬，李乐，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：