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本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构。浅沟槽隔离结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构；于所述基底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有开口；其中，所述开口暴露出所述初始浅沟槽隔离结构；基于所述...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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