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本申请提供了一种有源区的顶角的圆角化方法及半导体结构。所述方法包括：提供一基底，所述基底具有保护层以及多个凹槽，所述凹槽的侧壁及底部覆盖有氧化层；于所述凹槽内的所述氧化层表面形成浅沟槽隔离结构，相邻两所述浅沟槽隔离结构之间形成有源区；对所述...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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