纵向堆叠芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及纵向堆叠芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法，其中本发明专利技术的计算装置包括在集成电路装置中，该集成电路装置包括通用互联接口和其他处理装置。计算装置与其他处理装置进行交互，共同完成用户指定的计算操作。集成电路装置还可以包括存储装置，存储装置分别与计算装置和其他处理装置连接，用于计算装置和其他处理装置的数据存储。和其他处理装置的数据存储。和其他处理装置的数据存储。

【技术实现步骤摘要】
纵向堆叠芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法


[0001]本专利技术一般地涉及半导体领域。更具体地，本专利技术涉及纵向堆叠芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法。

技术介绍

[0002]自从大数据时代来临，结合人工智能技术的系统级芯片需要应对越来越复杂环境，迫使系统级芯片开发出更多的功能，目前芯片设计已逼近最大光罩尺寸。因此，开发人员试着将系统级芯片划分为多芯片模块，模块与模块间需要以超短(ultra
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short)和极短(extra
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short)距离连结，以实现晶粒(die)间的高速数据传递。除了尽量扩展带宽外，晶粒对晶粒(die
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to
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die，D2D)的连接更是一种极低延迟和极低功耗的解决方案。
[0003]晶粒对晶粒接口是一个功能块，会占据晶粒一小片面积，用以提供装配在同一封装中的两个模块或两晶粒间的数据接口。晶粒对晶粒接口利用非常短的通道连接封装内的模块或晶粒，其传输速率和带宽超过传统芯片对芯片接口。
[0004]在现有技术中，两个用晶粒对晶粒接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纵向堆叠芯片，包括：第一晶粒组，包括采用面对面制程的第一晶粒和第二晶粒；以及第二晶粒组，包括采用面对面制程的第一晶粒和第二晶粒；其中，所述第一晶粒组和所述第二晶粒组采用背对背制程。2.根据权利要求1所述的纵向堆叠芯片，其中所述第一晶粒为处理器核及内存其中之一，所述第二晶粒为处理器核及内存的另一个。3.根据权利要求2所述的纵向堆叠芯片，其中所述第一晶粒组的处理器核包括第一晶粒对晶粒区，生成有第一收发电路，所述第二晶粒组的处理器核包括第二晶粒对晶粒区，生成有第二收发电路；其中，所述第一晶粒及所述第二晶粒组的处理器核通过所述第一收发电路及所述第二收发电路进行层间数据传输。4.根据权利要求3所述的纵向堆叠芯片，其中所述第一晶粒组的内存位于所述第一晶粒组的处理器核及所述第二晶粒组的处理器核间，所述第一晶粒组的内存生成有收发硅通孔，用以电性连接所述第一收发电路及所述第二收发电路。5.根据权利要求4所述的纵向堆叠芯片，其中所述第一晶粒组的内存包括第一输入输出区，所述第二晶粒组的处理器核及所述第二晶粒组的内存生成有输入输出硅通孔，所述第一晶粒组的内存中的数据通过所述第一输入输出区及所述输入输出硅通孔传送至所述纵向堆叠芯片外。6.根据权利要求4所述的纵向堆叠芯片，其中所述第二晶粒组的内存包括第二输入输出区，所述第二晶粒组的内存中的数据通过所述输入输出硅通孔传送至所述纵向堆叠芯片外。7.根据权利要求4所述的纵向堆叠芯片，连接至片外内存，其中所述第一晶粒组的内存还包括第一物理区，所述第二晶粒组的处理器核及所述第二晶粒组的内存生成有物理硅通孔，所述第一晶粒组的处理器核的运算结果通过所述第一物理区及所述物理硅通孔传送至所述片外内存。8.根据权利要求3所述的纵向堆叠芯片，其中所述第二晶粒组的内存位于所述第一晶粒组的处理器核及所述第二晶粒组的处理器核间，所述第二晶粒组的内存生成有收发硅通孔，用以电性连接所述第一收发电路及所述第二收发电路。9.根据权利要求1所述的纵向堆叠芯片，其中所述第一晶粒组还包括第三晶粒，与所述第一晶粒组的所述第一晶粒采用面对背制程。10.根据权利要求9所述的纵向堆叠芯片，其中所述第一晶粒为处理器核，所述第二晶粒为内存及所述第三晶粒为内存。11.根据权利要求1所述的纵向堆叠芯片，还包括第三晶粒组，与所述第二晶粒组采用面对背制程。12.根据权利要求1至11所述任一项的纵向堆叠芯片，其中各层以倒装芯片球栅格阵列(flip chip ballgrid array，FCBGA)方式封装。13.根据权利要求1至11所述任一项的纵向堆叠芯片，其中各层以CoWoS(chip on wafer on substrate)方式封装。14.一种集成电路装...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽寒武纪信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：