多核芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及多核芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法，其中本发明专利技术的计算装置包括在集成电路装置中，该集成电路装置包括通用互联接口和其他处理装置。计算装置与其他处理装置进行交互，共同完成用户指定的计算操作。集成电路装置还可以包括存储装置，存储装置分别与计算装置和其他处理装置连接，用于计算装置和其他处理装置的数据存储。他处理装置的数据存储。他处理装置的数据存储。

【技术实现步骤摘要】
多核芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法


[0001]本专利技术一般地涉及半导体领域。更具体地，本专利技术涉及多核芯片、集成电路装置、板卡及其制程方法。

技术介绍

[0002]自从大数据时代来临，结合人工智能技术的系统级芯片需要应对越来越复杂环境，迫使系统级芯片开发出更多的功能，目前芯片设计已逼近最大光罩尺寸。因此，开发人员试着将系统级芯片划分为多芯片模块，模块与模块间需要以超短(ultra
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short)和极短(extra
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short)距离连结，以实现晶粒(die)间的高速数据传递。除了尽量扩展带宽外，晶粒对晶粒(die
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to
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die，D2D)的连接更是一种极低延迟和极低功耗的解决方案。
[0003]晶粒对晶粒接口是一个功能块，会占据晶粒一小片面积，用以提供装配在同一封装中的两个模块或两晶粒间的数据接口。晶粒对晶粒接口利用非常短的通道连接封装内的模块或晶粒，其传输速率和带宽超过传统芯片对芯片接口。
[0004]在现有技术中，两个用晶粒对晶粒接口相连的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多核芯片，包括：第一核层，包括：第一运算区，生成有第一运算电路；以及第一晶粒对晶粒区，生成有第一收发电路；第二核层，包括：第二运算区，生成有第二运算电路；以及第二晶粒对晶粒区，生成有第二收发电路；其中，所述第一核层和所述第二核层纵向堆叠，所述第一运算电路及所述第二运算电路通过所述第一收发电路及所述第二收发电路进行层间数据传输。2.根据权利要求1所述的多核芯片，连接至片外内存，还包括内存层，所述内存层包括：内存区，生成有存储单元，用以暂存所述第一运算电路与所述第二运算电路的运算结果；输入输出区，生成有输入输出电路，用以作为所述多核芯片对外联系的接口；以及物理区，生成有物理访问电路，用以访问所述片外内存。3.根据权利要求2所述的多核芯片，其中所述内存层位于所述第一核层和所述第二核层间，所述内存层生成有硅通孔，用以电性连接所述第一收发电路及所述第二收发电路。4.根据权利要求2所述的多核芯片，其中所述内存区位于所述第一核层和所述第二核层间，所述第二核层生成有硅通孔，用以电性传导所述输入输出电路的数据。5.根据权利要求2所述的多核芯片，其中所述内存区位于所述第一核层和所述第二核层间，所述第二核层生成有硅通孔，用以电性传导所述物理访问电路的数据。6.根据权利要求1所述的多核芯片，还包括：第一内存层，包括第一内存区，生成有存储单元，用以暂存所述第一运算电路的运算结果；以及第二内存层，包括第二内存区，生成有存储单元，用以暂存所述第二运算电路的运算结果；其中，所述第一核层、所述第一内存层、所述第二核层、所述第二内存层依序堆叠，所述第一内存层生成有收发硅通孔，用以电性连接所述第一收发电路及所述第二收发电路。7.根据权利要求6所述的多核芯片，其中所述第一内存层还包括第一输入输出区，生成有第一输入输出电路，用以作为所述多核芯片对外联系的接口，所述第二核层及所述第二内存层生成有输入输出硅通孔，用以电性传导所述第一输入输出电路的数据。8.根据权利要求6所述的多核芯片，其中所述第二内存层还包括第二输入输出区，生成有第二输入输出电路，通过输入输出硅通孔电性连接至所述多核芯片外。9.根据权利要求6所述的多核芯片，连接至片外内存，其中所述第一内存层还包括第一物理区，生成有物理访问电路，所述第二核层及所述第二内存层生成有物理硅通孔，用以电性传导所述第一运算电路的运算结果至所述片外内存。10.根据权利要求6所述的多核芯片，连接至片外内存，其中所述第二内存层还包括第二物理区，生成有物理访问电路，通过物理硅通孔将所述第二运算电路的运算结果传送至所述片外内存。11.根据权利要求6所述的多核芯片，其中所述第一核层与所述第一内存层为面对面制
程，所述第一内存层与所述第二核层为背对背制程，所述第二核层与所述第二内存层为面对面制程。12.根据权利要求6所述的多核芯片，还包括第三内存层，所述第三内存层包括第三内存区，生成有存储单元，用以暂存所述第一运算电路的运算结果，其中所述第三内存层位于所述第一核层之上。13.根据权利要求12所述的多核芯片，其中所述第三内存层与所述第一核层为面对面或面对背制程。14.根据权利要求6所述的多核芯片，还包括第四内存层，所述第四内存层包括第四内存区，生成有存储单元，用以暂存所述第二运算电路的运算结果，其中所述第四内存层位于所述第一内存层与所述第二核层间，所述第四内存层生成有收发硅通孔，用以电性连接所述第一收发电路及所述第二收发电路。15.根据权利要求14所述的多核芯片，其中所述第一内存层还包括第一输入输出区，生成有第一输入输出电路，用以作为所述多核芯片对外联系的接口，所述第四内存层、所述第二核层及所述第二内存层生成有输入输出硅通孔，用以电性传导所述第一输入输出电路的数据。16.根据权利要求14所述的多核芯片，连接至片外内存，其中所述第一内存层还包括第一物理区，生成有物理访问电路，所述第四内存层...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽寒武纪信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：