带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置制造方法及图纸

提供一种能够不使处理量下降而抑制依存于时间的图案描绘位置偏差的带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置。在本实施方式的带电粒子束描绘方法中，一边将带电粒子束描绘装置的描绘室和输送基板的输送机构分别维持在规定的温度，一边用上述输送机构将基板向上述描绘室输送；基于与经过时间对应的各带电粒子束的照射位置的修正数据、以及各上述带电粒子束的照射时的各上述经过时间，计算各上述带电粒子束的修正量，上述经过时间是预先取得的从与上述基板的输送有关的规定的起点起的时间；向基于计算出的各上述带电粒子束的修正量而进行了修正后的位置照射各上述带电粒子束，在上述基板上描绘图案。上述基板上描绘图案。上述基板上描绘图案。

【技术实现步骤摘要】
带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置
[0001]本申请基于日本专利申请第2021－163581号(申请日：2021年10月4日)及日本专利申请第2022－084654号(申请日：2022年5月24日)主张优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术涉及带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置。

技术介绍

[0003]随着LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年被微细化。为了对半导体设备形成所希望的电路图案，采用使用缩小投影型曝光装置将形成在石英上的高精度的原画图案(掩模，或者特别在步进式光刻机(stepper)或步进式扫描仪(scanner)中使用的也称作中间掩模(reticule))缩小转印到晶片上的方法。将高精度的原画图案用电子束描绘装置描绘，使用所谓电子束刻蚀技术。
[0004]在描绘开始时的掩模的初始温度和环境温度(描绘室的室内温度)有背离的情况下，掩模会膨胀或收缩直到适应于环境温度，所以图案描绘位置偏差。如果将掩模输送到描绘室中后等待适应于环境温度才开始描绘，则虽然能够避本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带电粒子束描绘方法，其中，一边将带电粒子束描绘装置的描绘室和输送基板的输送机构分别维持在规定的温度，一边用上述输送机构将基板向上述描绘室输送；基于与经过时间对应的各带电粒子束的照射位置的修正数据、以及各上述带电粒子束的照射时的各上述经过时间，计算各上述带电粒子束的修正量，上述经过时间是预先取得的从与上述基板的输送有关的规定的起点起的经过时间；向基于计算出的各上述带电粒子束的修正量而进行了修正后的位置，照射各上述带电粒子束，在上述基板上描绘图案。2.如权利要求1所述的带电粒子束描绘方法，其中，上述修正数据还基于上述基板与上述输送机构的总接触次数或总接触时间。3.如权利要求1所述的带电粒子束描绘方法，其中，在上述经过时间超过了阈值的情况下，不进行基于上述经过时间的上述修正量的计算地在上述基板上描绘图案。4.如权利要求1所述的带电粒子束描绘方法，其中，将评价基板输送到上述描绘室内；在对上述评价基板的整面以规定间隔依次描绘多个第1评价图案后，接着对于上述评价基板的整面，以规定间隔将多个第2评价图案至第n评价图案分别依次描绘到不同的位置，n为2以上；分别测量依次描绘出的各上述第1评价图案至各上述第n评价图案的位置；使用上述测量的结果、以及从与上述基板的输送有关的规定的起点起到上述第1评价图案至各上述第n评价图案的描绘时为止的经过时间，取得上述修正数据。5.如权利要求4所述的带电粒子束描绘方法，其中，上述修正数据包括使用上述测量的结果而针对上述第1评价图案至...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村春之，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：