【技术实现步骤摘要】
一种电子束邻近效应的矫正方法、装置及介质
[0001]本申请涉及电子束光刻领域,特别是涉及一种电子束邻近效应的矫正方法、装置及介质。
技术介绍
[0002]在电子束曝光过程中,由于高能入射电子在电子束光刻胶中的散射以及在衬底上的背散射从而导致图形非目标区域曝光的一种效应,邻近效应会使曝光图形模糊,尤其是在制作细小图形时,影响更为突出,即邻近效应的影响会使得图形失真。
[0003]目前,为了降低邻近效应的影响,通常采用以下两种方式实现。一种是在邻近效应明显的位置放大图形,另一种是在邻近效应明显的位置增加补偿图形。以目标图形为菱形为例,受邻近效应的影响,菱形的尖角变为发生形变,变成圆角。在采用放大图形的方式消除邻近效应的影响时,将菱形的尖角处拉长,由于不同尖角处的形变量不同,即需要根据邻近效应的影响的严重程度对不同的尖角进行不同倍数的放大,而放大后的菱形的边并不与初始的菱形的形状相同,图形仍然失真;在采用增加补偿图形的方式消除邻近效应的影响时,在菱形的尖角处增加补偿图形,需要根据邻近效应的影响的程度对不同的尖角增加不同尺寸的补偿图形,在增加了补偿图形后,可能会导致菱形的边出现凸起等。可见,采用上述的两种方法并不能有效降低邻近效应,从而提升曝光后图形的保形效果。
[0004]由此可见,提供一种有效降低邻近效应,从而提升曝光后图形保形效果的方法是本领域人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本申请的目的是提供一种电子束邻近效应的矫正方法、装置及介质,用于降低邻近效应,从而提升曝光后 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子束邻近效应的矫正方法,其特征在于,包括:获取目标图形的目标区域;其中,所述目标区域为所述目标图形中受邻近效应影响的位置;获取在各所述目标区域的内部或外部增加的弧形结构;其中,同一所述目标区域处增加的所述弧形结构至少为两个;获取受所述邻近效应的影响后,同一所述目标区域处形变后的各所述弧形结构之间的第一目标交点,以及形变后的各所述弧形结构在所述目标区域处与所述目标图形之间的第二目标交点;在所有的所述目标区域为所述目标图形的所有尖角的情况下,获取所述第一目标交点和所述第二目标交点共同围成的第一区域;根据所述第一区域对所述目标图形进行矫正;在所有的所述目标区域为所述目标图形的部分尖角的情况下,获取未受所述邻近效应影响的所述尖角的顶点、所述第一目标交点、所述第二目标交点共同围成的第二区域;根据所述第二区域对所述目标图形进行矫正。2.根据权利要求1所述的电子束邻近效应的矫正方法,其特征在于,所述获取在各所述目标区域的内部或外部增加的弧形结构包括:获取所述目标区域的所述尖角的形状;在所述目标区域的所述尖角为凸角的情况下,获取在所述目标区域的外部增加的所述弧形结构;在所述目标区域的所述尖角为凹角的情况下,获取在所述目标区域的内部增加的所述弧形结构。3.根据权利要求1所述的电子束邻近效应的矫正方法,其特征在于,所述弧形结构的数量、尺寸、所述弧形结构在所述目标区域的内部或外部的位置是根据电子束光刻机的电子束邻近效应的影响确定;所述弧形结构至少是圆、拱形、扇形中的任意一种。4.根据权利要求1所述的电子束邻近效应的矫正方法,其特征在于,所述弧形结构为两个,且为第一弧形和第二弧形;所述获取受所述邻近效应的影响后同一所述目标区域处形变后的各所述弧形结构之间的第一目标交点包括:在受所述邻近效应的影响后,形变后的所述第一弧形和形变后的所述第二弧形相切的情况下,获取形变后的所述第一弧形和变形后的所述第二弧形的切点以作为所述第一目标交点;在受所述邻近效应的影响后,形变后的所述第一弧形和形变后的所述第二弧形相交的情况下,获取形变后的所述第一弧形与形变后的所述第二弧形的两个交点中的一个交点以作为所述第一目标交点;其中,所述第一目标交点根据所述目标区域在所述目标图形中所处的位置、所述目标区域的所述尖角的形状确定。5.根据权利要求4所述的电子束邻近效应的矫正方法,其特征在于,所述第一目标交点根据所述目标区域在所述目标图形中所处的位置、所述目标区域的所述尖角的形状确定包括:在所述目标区域位于所述目标图形的上方,且所述目标区域的所述尖角为凸角的情况下,所述第一目标交点为形变后的所述第一弧形与形变后的所述第二弧形的两个交点中的下交点;
在所述目标区域位于所述目标图形的下方,且所述目标区域的所述尖角为凸角的情况下,所述第一目标交点为形变后的所述第一弧形与形变后的所述第二弧形的两个交点中的上交点;在所述目标区域位于所述目标图形的左边,且所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐松,关健,周兴,赵晋,
申请(专利权)人:珠海莫界科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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