热点检测方法、设备和介质技术

根据本公开的示例实施例提供了热点检测方法、设备和介质。该方法包括获取测试图案和针对测试图案的参考工艺窗口。参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围。该方法还包括基于参考工艺窗口，确定利用测试图案进行光刻而形成的第一仿真图案。该方法还包括确定至少与形成第一仿真图案有关的第一成像成本。该方法还包括基于第一成像成本，确定目标工艺参数集。该方法进一步包括基于目标工艺参数集，确定待检测版图中的热点。以此方式，可以在没有测量数据的情况下实现热点检测，从而有利地加快新工艺节点的研发进程。快新工艺节点的研发进程。快新工艺节点的研发进程。

【技术实现步骤摘要】
热点检测方法、设备和介质


[0001]本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及热点检测方法、设备和介质。

技术介绍

[0002]光刻工艺是主导集成电路线宽的重要工艺之一。在先进半导体工艺节点中，由于光线的衍射、干涉效应以及光源设计的局限性，光刻工艺在某些特定尺寸或间距(pitch)的图形处无法达到足够光刻工艺窗口或光刻成像质量很差。在版图中，出现上述现象的图形被称为热点(hot spot)。在将版图转移到晶圆之前，需要对版图进行检测，以找出热点。特别地，在新工艺节点的开发中，尽早找出版图中的热点，有利于版图设计的优化。

技术实现思路

[0003]在本公开的第一方面中，提供了一种热点检测方法。在该方法中，获取测试图案和针对所述测试图案的参考工艺窗口。参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围。该方法还包括基于参考工艺窗口，确定利用所述测试图案进行光刻而形成的第一仿真图案。该方法还包括确定至少与形成第一仿真图案有关的第一成像成本。该方法还包括：基于第一成像成本，确定目标工艺参数集。该方法还包括：基于目标工艺参数集，确定待检测版图中的热点。
[0004]在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的方法。
[0005]在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。
[0006]应当理解，本
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。
附图说明
[0007]结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：
[0008]图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；
[0009]图2示出了根据本公开的一些实施例的热点检测的方法的流程图；
[0010]图3示出了根据本公开的一些实施例的确定第一仿真图案的示例过程的流程图；
[0011]图4示出了根据本公开的一些实施例的参考工艺窗口中的多个初始工艺条件的示意图；
[0012]图5示出了根据本公开的一些实施例的确定候选工艺条件的示例过程的流程图；
[0013]图6示出了根据本公开的一些实施例的基于目标参数集确定热点的示例过程的流程图；
[0014]图7示出了根据本公开的一些实施例的利用成本函数来检测热点的示例过程的流程图；以及
[0015]图8示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备的框图。
具体实施方式
[0016]下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。
[0017]在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
[0018]如本文中所使用的，术语“标称条件”或“标称工艺条件”是指工艺窗口的中心所对应的工艺条件。
[0019]如前文所简要提及的，期望能尽早检测版图中的热点，以便优化版图设计。例如，在分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology，RET)工艺的早期，一般需要有光学模型来模拟光刻的光照过程，以进行RET相关的测试/开发计划，例如在设计工艺协同优化(DTCO)期间在已经进行光学近邻效应校正(OPC)的掩模(mask)版图上检测失效位置。这种用途的模型也称为“热点模型”，其用于检测或筛选掩模版图上与光刻工艺相关的失效(即，热点)。
[0020]在生成这种热点模型的传统方案中，需要利用来自经优化工艺的测量数据来校正热点模型。这样的测量数据包括在标称条件下和在聚焦值范围、曝光剂量范围内对指定版图的测量。在这些版图中可能存在如下的版图，这样的版图的工艺保真度较低并且在用于校正热点模型性能的光刻胶顶部或底部携带有计量学噪声。
[0021]这样的传统方案存在一些问题。一方面，在新的工艺节点的开发中，没有可用的光刻工艺或光刻工艺尚未优化。这使得所生成的模型与优化的光刻工艺之间可能存在差距，也即，所生成的模型可能会偏离优化的光刻工艺。
[0022]另一方面，在没有可用于模型校正和验证的晶圆测量数据的情况下，也对生成用于DTCO的热点模型造成了限制。也即，在没有测量数据的情况下，难以校正和验证热点模型。然而，在一些场景中，需要对设计版图进行热点检测。例如，对于针对设计版图的一些场景，需要在没有进行OPC的情况下进行光刻工艺的热点检测。在DTCO出现之前，这也称为光刻兼容性检查(Lithography Compliance Check，LCC)。
[0023]为此，本公开的实施例提供了一种热点检测方案，以解决或者至少部分地解决传统的方案中的上述问题和/或其他潜在问题。根据本公开的实施例，基于针对测试图案的参考工艺窗口，通过光刻成像仿真，确定利用测试图案进行光刻而形成的仿真图案。然后，基
于至少与形成该仿真图案有关的成像成本，确定目标工艺参数集。基于目标工艺参数集对待检测版图进行热点检测。
[0024]在本公开的实施例中，以已知的工艺窗口作为参考，通过光刻成像仿真，来确定新工艺节点的工艺参数。例如，以邻近工艺节点的工艺窗口作为出发点，通过仿真的方式确定新工艺节点的工艺参数。进而将新工艺节点的工艺参数用于构建热点检测模型，从而进行热点检测。以此方式，可以在没有实际测量数据的情况下，进行热点检测。进一步地，这可以有利地加快新工艺节点的研发进程。
[0025]图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境100的示意图。在示例环境100中，电子设备101将测试图案102作为输入。在图1的示例中，测试图案102包括具有预定间距的两个矩形1021和1022。当然，应当理解的是，这种测试图案102的形式只是示意性的，并不旨在限制本公开的保护范围。在本公开的实施例中，测试图案102可以是任意感兴趣的图案，或者在光刻中易于出问题的图案。下文中将主要以图1的示例图案为例来描述根据本公开的构思。应当理解的是，具有其他图案或形状的示例图案也是类似的，在下文中将不再分别赘述。
[0026]电子设备101还获取针对测试图案102的参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热点检测方法，其特征在于，包括：获取测试图案和针对所述测试图案的参考工艺窗口，所述参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围；基于所述参考工艺窗口，确定利用所述测试图案进行光刻而形成的第一仿真图案；确定至少与形成所述第一仿真图案有关的第一成像成本；基于所述第一成像成本，确定目标工艺参数集；以及基于所述目标工艺参数集，确定待检测版图中的热点。2.根据权利要求1所述的热点检测方法，其特征在于，确定待检测版图中的热点包括：基于所述目标工艺参数集，确定由所述目标工艺参数集中的工艺参数限定的目标工艺条件；针对所述目标工艺条件执行光刻成像仿真，以生成由所述待检测版图在所述目标工艺条件下形成的多个待检测仿真图案；以及基于所述多个待检测仿真图案，确定所述待检测版图中的热点。3.根据权利要求2所述的热点检测方法，其特征在于，所述目标工艺参数集包括聚焦中心，并且所述多个待检测仿真图案至少包括：在与所述聚焦中心相对应的光刻胶的平面形成的仿真图案。4.根据权利要求2或3所述的热点检测方法，其特征在于，所述多个待检测仿真图案包括以下至少一项：在所述光刻胶的顶面形成的仿真图案，在所述光刻胶的底面形成的仿真图案。5.根据权利要求2所述的热点检测方法，其特征在于，基于所述多个待检测仿真图案确定所述待检测版图中的热点包括：针对每个待检测仿真图案，确定该待检测仿真图案的仿真尺寸与目标尺寸之间的第一差异，以获得多个第一差异，所述仿真尺寸是该待检测仿真图案中与所述待检测版图中的测量位置相对应的位置处的尺寸；至少基于所述多个第一差异，确定与热点检测相关联的热点成本；以及响应于所述热点成本超过成本阈值，确定所述待检测版图中与所述测量位置相关联的图形为热点。6.根据权利要求5所述的热点检测方法，其特征在于，还包括：针对所述多个待检测仿真图案中的第一待检测仿真图案，确定所述第一待检测仿真图案的所述仿真尺寸与测量尺寸之间的第二差异，所述测量尺寸通过对晶圆上的实际图案进行测量而得到，并且确定与热点检测相关联的热点成本包括：基于所述多个第一差异和所述第二差异，确定所述热点成本。7.根据权利要求1所述的热点检测方法，其特征在于，基于所述参考工艺窗口确定利用所述测试图案进行光刻而形成的第一仿真图案包括：基于所述参考工艺窗口，确定多个初始工艺条件，所述多个初始工艺条件中的每个初始工艺条件由所述工艺窗口内的工艺参数限定；针对所述多个初始工艺条件分别执行光刻成像仿真，以生成多个候选图案，每个候选
图案由所述测试图案在一个初始工艺条件下形成；以及基于所述多个候选图案，...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：