一种含掺锑氧化锡的透明导电材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种含掺锑氧化锡（ＡＴＯ）的透明导电材料的制备方法，包括：制备用表面改性剂及偶联剂改性后的ＡＴＯ粉体，并分散到水中，形成ＡＴＯ水浆；制备聚合物共聚乳液；将改性ＡＴＯ水浆分散到聚合物乳液中，并加入一定量的ｐＨ调节剂来改变体系的ｐＨ值，从而得到稳定的高度分散的ＡＴＯ水性分散液；将此分散液涂覆在基体表面或浇铸到模具中，聚合物乳液粒子作为粘合剂，使得水性分散液干燥后形成的透明导电材料在导电填料含量较低的情况下就具有良好的导电性和光学透过性，可广泛用于各种抗静电、防辐射涂层材料以及各种透明导电型材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电材料的制备方法，具体是含掺锑氧化锡的透明导电材料的制备方法。
技术介绍
随着信息技术的发展，各类光电子产品日新月异，对透明导电材料的性能提出了更高的要求。透明导电材料结合了透明和导电的特性，具有广泛的应用领域，不仅可应用于显像管或显示屏的防静电、防眩光、防电磁辐射，也可以用于透明电极、太阳能光电转换等领域。 目前绝大多数导电材料都是不透明的，已知的同时具有透明和导电特性的材料只有氧化铟锡(ITO)和掺锑氧化锡(ATO)。ATO薄膜由于热稳定性好、化学稳定性好、硬度高、生产设备简单、工艺周期短、原材料价格低廉和生产成本低等特点，具有较为显著的优势。掺锑氧化锡，简称ATO，是一种n型的半导体材料，具有一些特异的光学和电学性能，是一种新型的多功能透明抗静电及导电材料，将它制成纳米级，则可在小型化、集成化等方面得到广泛的应用。纳米ATO导电粉既有纳米粉体的一般特性，又有其作为二氧化锡掺杂半导体的独特物理化学性质，因而具有很多优越的性能和广泛的用途。纳米ATO导电粉体与其它的抗静电材料，如碳黑、金属单质、有机抗静电材料等相比，不但具有高的导电性，还具有纳米材料、半导体材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含掺锑氧化锡的透明导电材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（１）制备表面改性掺锑氧化锡水浆将掺锑氧化锡粉、表面改性剂、偶联剂、蒸馏水、混合，调节ｐＨ值为８－１０，球磨６－１０小时后过筛、干燥，得到的改性掺锑氧化锡粉再 加入到蒸馏水中，加入分散剂，得到表面改性掺锑氧化锡水浆；上述各组分重量份数如下：掺锑氧化锡粉１０－２０表面改性剂０．２－０．８偶联剂０．２－０．４分散剂０．２－０．３蒸馏水 ９０－１００（２）制备聚合物共聚乳液...

【技术特征摘要】
1.一种含掺锑氧化锡的透明导电材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤(1)制备表面改性掺锑氧化锡水浆将掺锑氧化锡粉、表面改性剂、偶联剂、蒸馏水、混合，调节pH值为8-10，球磨6-10小时后过筛、干燥，得到的改性掺锑氧化锡粉再加入到蒸馏水中，加入分散剂，得到表面改性掺锑氧化锡水浆；上述各组分重量份数如下掺锑氧化锡粉 10-20表面改性剂 0.2-0.8偶联剂 0.2-0.4分散剂 0.2-0.3蒸馏水 90-100(2)制备聚合物共聚乳液将去离子水、乳化剂、十二烷基硫酸钠和聚乙烯醇混合，加热到90-95℃，使聚乙烯醇溶解后再降温至80℃，加入单体混合物、引发剂，缓慢升温至84-86℃。当出现回流和大量气泡时，连续滴加剩余的单体混合物，并补加引发剂，保持在2-3小时内滴加完毕，全部滴完后升温至90-95℃；保温1-3小时后冷却降温至40℃以下时，调节乳液pH值为4-6；上述各组分重量份数如下去离子水 100乳化剂 5-8十二烷基硫酸钠 2-3聚乙烯醇 2-5单体混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾钫，王翠英，吴水珠，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]