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一种含掺锑氧化锡的透明导电材料的制备方法技术
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文档序号:3723986
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本发明涉及一种含掺锑氧化锡(ATO)的透明导电材料的制备方法,包括:制备用表面改性剂及偶联剂改性后的ATO粉体,并分散到水中,形成ATO水浆;制备聚合物共聚乳液;将改性ATO水浆分散到聚合物乳液中,并加入一定量的pH调节剂来改变体系的pH值...
该专利属于华南理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南理工大学授权不得商用。
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