建立LDMOS管等效电路的方法技术

一种建立LDMOS管等效电路的方法，所述LDMOS管包括：第一漏极和第一源极。建立LDMOS管等效电路的方法包括：建立原等效电路，所述原等效电路包括：等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻，所述等效MOS管包括：第二漏极和第二源极；所述漏极寄生电阻的第一端连接所述第一漏极，所述漏极寄生电阻的第二端连接所述第二漏极，所述源极寄生电阻的第一端连接所述第二源极，所述源极寄生电阻的第二端连接所述第一源极；将所述漏极寄生电阻的阻值修正为与第一修正值和第二修正值相关，所述第一修正值与所述第一漏极到所述第一源极之间的电压相关，所述第二修正值与所述第二漏极到所述第一源极之间的电压相关。极之间的电压相关。极之间的电压相关。

【技术实现步骤摘要】
建立LDMOS管等效电路的方法


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种建立LDMOS管等效电路的方法。

技术介绍

[0002]中国公开号为CN105160141B的专利文献公开了一种超高压场效应管子电路模型建模方法，如图1所示，左侧是LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)管的原等效电路,所述LDMOS管包括：第一漏极D和第一源极S。
[0003]所述原等效电路包括：等效MOS管M1、漏极寄生电阻R1和源极寄生电阻R2。所述漏极寄生电阻R1的第一端连接所述第一漏极D，所述漏极寄生电阻R1的第二端连接所述等效MOS管M1的漏极。所述源极寄生电阻R2的第一端连接所述等效MOS管M1的源极，所述源极寄生电阻R2的第二端连接所述第一源极S。
[0004]为便于理解漏极寄生电阻R1阻值r1的计算过程，在图1右侧虚框内，搭建了电路模型，包括串联的电压控制电压源ec1f和电阻Rnvd。电阻Rnvd的一端连接电压控制电压源ec1f，另一端接地。其中，电压控制电压源ec1f的电压数值随第一漏极D和第一源极S之间的电压Vds变化。具体如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种建立LDMOS管等效电路的方法，所述LDMOS管包括：第一漏极和第一源极，其特征在于，包括：建立原等效电路，所述原等效电路包括：等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻，所述等效MOS管包括：第二漏极和第二源极；所述漏极寄生电阻的第一端连接所述第一漏极，所述漏极寄生电阻的第二端连接所述第二漏极，所述源极寄生电阻的第一端连接所述第二源极，所述源极寄生电阻的第二端连接所述第一源极；将所述漏极寄生电阻的阻值修正为与第一修正值和第二修正值相关，所述第一修正值与所述第一漏极到所述第一源极之间的电压相关，所述第二修正值与所述第二漏极到所述第一源极之间的电压相关。2.如权利要求1所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述漏极寄生电阻的阻值与所述第一修正值和第二修正值的差值相关。3.如权利要求1所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述第一修正值含有用于拟合第一区域的参数，所述第一区域包括过渡区和准饱和区。4.如权利要求3所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述第一修正值还含有用于拟合准饱和区的参数。5.如权利要求1所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述第二修正值含有用于拟合过渡区的参数。6.如权利要求1所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正楠，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：