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一种建立LDMOS管等效电路的方法,所述LDMOS管包括:第一漏极和第一源极。建立LDMOS管等效电路的方法包括:建立原等效电路,所述原等效电路包括:等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻,所述等效MOS管包括:第二漏极和第二源极;所述漏...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种建立LDMOS管等效电路的方法,所述LDMOS管包括:第一漏极和第一源极。建立LDMOS管等效电路的方法包括:建立原等效电路,所述原等效电路包括:等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻,所述等效MOS管包括:第二漏极和第二源极;所述漏...