【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成半导体特征结构的电化学组件
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。本申请要求在同时提交的PCT申请表中确定的权益或优先权的每份申请均出于所有目的通过引用整体并入本文。
[0002]本公开涉及衬底处理系统并且更具体地讲涉及提供半导体电互连件的电化学组件。
技术介绍
[0003]本文提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
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部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]半导体互连件通常使用各种半导体工具形成，以实现半导体工艺的各个方面来沉积金属。此类半导体工具可包括金属沉积工具(例如，物理气相沉积(PVD)工具、化学气相沉积(CVD)工具或原子层沉积(ALD)工具以提供晶种金属层和/或本体金属层)、光致抗蚀剂沉积工具(如旋涂机或干式光致抗蚀剂沉积工具)、光刻工具(如光刻工具)、光致抗蚀剂显影工具、去渣或灰化工具(如光致抗蚀剂去渣工具...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组件，其包括：沉积头，所述沉积头包括设置在所述沉积头的近侧表面上的阳极像素阵列，其中所述阳极像素阵列包括多个惰性电极和多个控制装置，所述控制装置被配置为向所述多个惰性电极中选定的一个或更多个电极提供电流；间隙测量系统，所述间隙测量系统包括一个或更多个传感元件，其中所述间隙测量系统被配置为通过测量一个或更多个传感元件中的至少一个传感元件与工件的下面部分之间的区域的阻抗来测量所述沉积头的所述近侧表面与工件表面之间的距离；以及控制器，所述控制器连接到所述沉积头并被配置为向所述阵列提供电流和/或电压或在所述工件和所述阵列之间提供电势差，从而形成由一个或更多个阳极像素限定的电场。2.根据权利要求1所述的组件，其还包括对准系统，所述对准系统包括：多个精细致动器元件，所述多个精细致动器元件附接至所述沉积头，其中所述精细致动器元件被配置成将所述沉积头的所述近侧表面定位在距所述工件表面第一间隙距离内和/或使所述沉积头的所述近侧表面位于平行于所述工件表面的平面上。3.根据权利要求2所述的组件，其中所述对准系统被配置成控制沿五个轴的运动，所述五个轴包括三个相互垂直的线性轴和两个旋转轴，所述两个旋转轴被取向成使得所述沉积头平面度可以相对于所述工件调节。4.根据权利要求3所述的组件，其中所述对准系统被配置成通过一组以三角形布置的三个精细致动器元件或者以三角形布置的两个精细致动器元件与第三固定点来控制沿所述两个旋转轴的运动。5.根据权利要求1至4中任一项所述的组件，其中所述一个或更多个传感元件中的至少一个传感元件设置在所述沉积头的所述近侧表面上并且电连接到电路以确定所述传感元件与所述工件表面之间的距离。6.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中所述一个或更多个传感元件中的至少一个传感元件电耦合到供电电路和传感电路。7.根据权利要求6所述的组件，其中所述至少一个传感元件包括所述多个惰性电极中的一个惰性电极。8.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中所述控制器被配置为以提供沉积特征结构的方式供应电流和/或电压或供应电势差，并且其中所述沉积特征结构由单个阳极像素沉积或由多个阳极像素沉积。9.根据权利要求8所述的组件，其中所述控制器被配置为引起：将电流、电压或电势差提供给一组邻接的阳极像素以限定所述沉积特征结构的形状或尺寸。10.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其还包括电耦合到所述多个惰性电极的供电电路，其中所述供电电路被配置为施加第一电势和/或电流以使所述惰性电极用作相对于所述工件的阳极，并且施加第二电势和/或电流以使所述惰性电极用作相对于二次电极的阴极。11.根据权利要求10所述的组件，其中所述二次电极包括电镀到所述惰性电极上的金属。12.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中所述间隙测量系统被配置为通过将输入信号波施加到所述至少一个传感元件来测量介于所述至少一个传感元件与所述工件
的下方部分之间的区域的阻抗。13.根据权利要求12所述的组件，其中所述输入信号波具有大约1毫伏至100毫伏的幅度。14.根据权利要求12所述的组件，其中所述输入信号波具有约100kHz至10MHz的频率。15.根据权利要求12所述的组件，其中所述输入信号波具有约1MHz至10MHz的频...
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