【技术实现步骤摘要】
本专利技术是涉及电路板中分立式去耦埋入电容的超低寄生电感设计。它是将通孔或盲孔在电极上密集摔 列，达到减小寄生电感，提高埋入电容的工作频率，使电路板的电源完整性和信号完整性得到改善的目的。
技术介绍
随着集成电路的频率和速率的提高，工作电压下降，电子系统屮的电路供电网络中的噪声抑制成为影 响系统性能的一个极为重要的因素。高频高速电路意味着电源的快速响应，但是由于电源网络中的电感存 在，使得电源对集成电路的响应不可能做到及时。例如当'个高速开关电路处在瞬态开的工作状态时，需 要电源及时地提供相应的电压，但是由于电感的存在，电源不可能做到，于是在集成电路所处的局部区域 内电压将下降，信号波形将由此不能完整。另一方面，如果开关处于瞬态关的工作状态时，由于同样的原 因，集成电路所处的局部区域电压将出现过冲。无论是电压下降或过冲对电路系统的危害是双重的(1) 它使得该集成电路T作不稳定甚至于不正常(2)它产生的噪声将在整个电路板中传播，干扰其他器件的 工作。 一般来说，集成电路速度越快电压下降或过冲现象就越严重，产生的噪声电平就越高，另一方面， 集成电路的低工作电压则要求...
【技术保护点】
一种电容器，它是以如下描述为特征：在多层电路板中的相邻两金属层（电极）之间夹有一层介质层，称为埋入电容。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：万里兮，
申请(专利权)人：成都锐华光电技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：90[]
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