一种超薄芯片的封装工艺制造技术

本发明专利技术涉及芯片封装技术领域，提出了一种超薄芯片的封装工艺，包括以下步骤：步骤S1、对未加工硅片进行减薄，减薄面上粘贴DAF膜并形成第一中间体；步骤S2、裁剪第一中间体以形成多个第二中间体；步骤S3、先将第二中间体贴合在封装基板上，再将待封装的超薄芯片贴合在第二中间体上，并形成第三中间体；步骤S4、借助压合设备对第三中间体进行压合；步骤S5、压合完成后进行外观检查，如果外观完好，则放入烤箱内进行烘烤固化，并形成第四中间体；步骤S6、对第四中间体进行焊线塑封；塑封完成后，依次进行印字、切割和测试。通过上述技术方案，解决了现有技术中芯片封装由于依靠装片设备而造成的生产效率低的问题。的生产效率低的问题。的生产效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄芯片的封装工艺


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，具体的，涉及一种超薄芯片的封装工艺。

技术介绍

[0002]随着智能化和信息化的快速发展，集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，尤其是存储芯片，随着智能化对存储容量要求不断提高及多堆叠技术的发展，存储芯片厚度越来越薄。与此同时，超薄芯片也非常脆弱，易翘曲、易划损、易破碎，封装工艺难度极大，封装良率也不容易控制，稍有不慎极易导致芯片翘曲、碎裂、器件失效等突出问题。
[0003]现有技术进行超薄芯片装片，一般是直接将芯片贴合在封装基板上，装片过程依靠优化装片设备参数和装片设备精度要求等方式来控制产品良率，生产效率低下，而且产品良率无法有效提升。

技术实现思路

[0004]本专利技术提出一种超薄芯片的封装工艺，解决了现有技术中芯片封装由于依靠装片设备而造成的生产效率低的问题。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种超薄芯片的封装工艺，所述封装工艺包括以下步骤：
[0006]步骤S1、取尚未线路加工的硅片，将所述硅片减薄至1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄芯片的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、取尚未线路加工的硅片，将所述硅片减薄至150
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200um，在减薄面上粘贴DAF膜，并形成第一中间体；步骤S2、将所述第一中间体裁剪，裁剪后形成多个第二中间体，所述第二中间体的尺寸与待封装的超薄芯片的尺寸为1.1:1至1.5:1；步骤S3、先将所述第二中间体贴合在封装基板上，再将待封装的超薄芯片贴合在所述第二中间体上，并形成第三中间体，超薄芯片在所述封装基板的投影位于所述第二中间体在所述封装基板上的投影区域内；步骤S4、借助压合设备对所述第三中间体进行压合，压合温度为140
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165℃，压合时间为3
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5s；步骤S5、压合完成后进行外观检查，如果外观异常，则进行回收；如果外观完好，则将所述第三中间体放入烤箱内进行烘烤固化，并形成第四中间体，烘烤温度为145
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155℃，烘烤时间为3
‑
3.5h；步骤S6、对所述第四中间体进行焊线...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳坚，胡志东，赵志勇，李君林，
申请(专利权)人：深圳市芯海微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：