一种高压整流器生产工艺制造技术

本发明专利技术属于半导体生产技术领域，具体涉及一种高压整流器生产工艺；包括如下步骤：步骤一准备材料，并将十个大硅片装填到焊接模具里；步骤二进炉，在氮气保护下高温焊接；步骤三线切割，线切割之后，清洗晶粒；步骤四将原材料装填；步骤五压上重锤，进焊接炉，在氮气保护下高温焊接；步骤六出炉转换；步骤七酸洗、水超声清洗；步骤八涂玻璃浆后，在氮气的保护下进入烧结炉，进行玻璃烧结；步骤九可靠性试验；步骤十准备注胶；步骤十一注胶及注胶后固化；步骤十二表面锡处理；步骤十三第二次可靠性试验；步骤十四电性测试；步骤十五印字、外观检查；步骤十六包装入库。骤十六包装入库。骤十六包装入库。

【技术实现步骤摘要】
一种高压整流器生产工艺


[0001]本专利技术属于半导体加工领域，具体涉及一种高压整流器生产工艺。

技术介绍

[0002]整流器是一个整流装置，是能够将交流(AC)转化为直流(DC)的装置。它有两个主要功能：第一，将交流电(AC)变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；第二，给蓄电池提供充电电压。
[0003]公开号为CN114551250 B的文献就公开了一种高压硅堆的批量生产工艺，包括如下步骤：
[0004]步骤1.刷焊料：将多块DBC板放置在治具中，采用丝网印刷机在各DBC板上印刷一层厚度为0.1mm
‑
0.2mm的焊料；
[0005]步骤2.组装芯片：利用装配有芯片吸取头的自动装配机一次性吸取多颗芯片，并一次性将多颗芯片平铺在各DBC板上的预定位置，然后利用焊料将芯片固定在各DBC板上；
[0006]步骤3.点焊料：用点胶机在多颗芯片上和引脚焊接点处分别点上焊料；
[0007]步骤4.组装跳线：利用装配有跳线吸取头的自动装配机一次性吸取多根跳线，并一次性将多根跳线放置在各DBC板上的预定位置，然后利用焊料焊接跳线，焊接后分别得到多颗芯片在DBC板上串联的整体芯片；
[0008]步骤5.装引脚：预先制备包括多根引脚的引脚框架，然后使用焊料将引脚框架中的各引脚分别固定在各整体芯片两端；
[0009]步骤6.烧结：采用真空炉进行烧结，烧结温度为360℃
±
20℃，烧结后将产品取出放置在中转工装内；
[0010]步骤7.清洗：采用松香清洗液将焊接表面残留去除；
[0011]步骤8.塑封：采用注塑机和模具在高温175
±
20℃、高注进压力50N
±
20N条件下将环氧树脂分别包裹各整体芯片，形成不同封装形式的高压硅堆；
[0012]步骤9.引脚电镀：采用挂镀工艺在高压硅堆的引脚上电镀不低于3um厚度锡；
[0013]步骤10.切筋：利用引脚切筋机器切断引脚框架，将引脚连接在一起的成品高压硅堆切割成单独个体；
[0014]步骤11.测试印字：采用一贯机和数字机对高压硅堆的参数进行测试，并在测试合格产品上打印标识；
[0015]步骤12.包装：用包装袋和纸箱对测试完成的高压硅堆进行包装；
[0016]以上方法的高压硅堆的产品是单独的一拐进行批量生产，且无法适应高温高压环境。

技术实现思路

[0017]本专利技术就是针对上述中所存在的问题，针对性地设计一种高压整流器生产工艺。
[0018]为实现上述目的，本专利技术提供高压整流器生产工艺，包括如下步骤：
[0019]步骤一 准备材料，并将大硅片装填到焊接模具里；
[0020]步骤二 进炉，在氮气保护下高温焊接；
[0021]步骤三 线切割；将焊接在一起的大硅片整体线切割成圆形，并清洗晶粒；
[0022]步骤四 原材料装填；
[0023]步骤五 压上重锤，进焊接炉，在氮气保护下高温焊接；
[0024]步骤六 出炉转换；
[0025]步骤七 酸洗、水超声清洗；使用酸洗机对焊接成品中晶粒PN结面进行酸性腐蚀，以去除可能的污物，在酸洗的过程中，按照流程进行高纯水超声清洗；
[0026]步骤八 将清洗好的工件涂上玻璃浆，在氮气的保护下进入烧结炉，进行玻璃烧结；
[0027]步骤九 可靠性试验；进行可靠性试验的前后，实验室要进行半自动电性测试；
[0028]步骤十 准备注胶；
[0029]步骤十一 注胶及注胶后固化；
[0030]步骤十二 表面锡处理；
[0031]步骤十三 第二次可靠性试验；进行可靠性试验的前后，实验室要进行半自动电性测试；
[0032]步骤十四 电性测试；在流水线上进行全自动电性测试；
[0033]步骤十五 印字、外观检查；
[0034]步骤十六 包装入库。
[0035]进一步的，所述步骤四中原材料装填顺序为：所述步骤四中原材料装填顺序为：装填第一道两个铜电极、装填第一道四个焊片、装填第一道四个钼粒、装填四个清洗好的晶粒、装填第二道四个钼粒、装填第二道四个焊片、装填第二道两个个铜电极，均匀有序地装填在切割好的焊接模具中。
[0036]进一步的，步骤五中所述焊接炉的炉内最高温度为715℃～760℃,高于660℃恒温区时间为11～17min，高于580℃恒温区时间为17～21min，出炉口温度≤130℃；所述氮气的压力为2.5
±
0.5kg/cm2。
[0037]进一步的，步骤七中所述酸洗机包括1#酸槽和2#酸槽，所述1#酸槽内装入1#混合酸，所述2#酸槽内装入2#混合酸；所述1#混合酸的配比为硝酸：硫酸：氢氟酸：磷酸＝1:2:1:2；所述2#混合酸的配比为磷酸：双氧水：去离子水＝1:2:3。
[0038]作为优选，所述1#混合酸的实际酸温为25℃～28℃，所述2#混合酸的实际酸温为62℃
±
3℃。
[0039]作为优选，步骤五中所述烧结炉炉温最高温度为670℃
±
10℃，高于630℃的区域，通过的时间为6min～12min，链速为12.5cm/60
±
2s。
[0040]进一步的，步骤十中所述准备注胶包括如下步骤：
[0041]S1电性预分类；
[0042]S2 Hi
‑
rel；对产品进行高温高压的工作环境检测，其工作环境为绝缘油中，环境温度为175℃，对产品施加的电压为不小于104V。
[0043]作为优选，步骤八中所述玻璃浆的配比为：玻璃粉/高纯去离子水＝(450
±
1克)/(175
±
5ML)。
[0044]进一步的，步骤十二中所述表面锡处理包括以下步骤：
[0045]P1铜电极预处理；
[0046]P2核对浸锡参数；
[0047]P3装料；
[0048]P4浸锡盘装机；
[0049]P5浸锡；
[0050]P6冷却；
[0051]P7浸锡另一端；
[0052]P8下料；
[0053]P9清洗机准备；
[0054]P10清洗剂清洗；
[0055]P11烘干；
[0056]P12外观不良品挑拣；
[0057]P13装箱。
[0058]综上所述，本专利技术的一种高压整流器生产工艺具有如下的优点和有益技术效果：
[0059]1.本专利技术的一种高压整流器生产工艺采用先将硅片焊接成连接的一体，然后再装填焊接电极、焊片和钼粒，工序简洁，适用于各种生产模式。
[0060]2.本专利技术的一种高压整流器生产工艺采用是玻璃烧结产品结构，该结构中间是晶粒，两边依次是钼粒、焊片、无氧铜电极，晶粒、钼粒用玻璃保护，选用钼粒做二极管管芯基片，钼粒和晶粒在受热的状态下会产生一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压整流器生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤一 准备材料，并将大硅片装填到焊接模具里；步骤二 进炉，在氮气保护下高温焊接；步骤三 线切割；将焊接在一起的大硅片整体线切割成圆形，并清洗晶粒；步骤四 原材料装填；步骤五 压上重锤，进焊接炉，在氮气保护下高温焊接；步骤六 出炉转换；步骤七 酸洗、水超声清洗；使用酸洗机对焊接成品中晶粒PN结面进行酸性腐蚀，以去除可能的污物，在酸洗的过程中，按照流程进行高纯水超声清洗；步骤八 将清洗好的工件涂上玻璃浆，在氮气的保护下进入烧结炉，进行玻璃烧结；步骤九 可靠性试验；进行可靠性试验的前后，实验室要进行半自动电性测试；步骤十 准备注胶；步骤十一 注胶及注胶后固化；步骤十二 表面锡处理；步骤十三 第二次可靠性试验；进行可靠性试验的前后，实验室要进行半自动电性测试；步骤十四 电性测试；在流水线上进行全自动电性测试；步骤十五 印字、外观检查；步骤十六 包装入库。2.根据权利要求1所述的一种高压整流器生产工艺，其特征在于：所述步骤四中原材料装填顺序为：装填第一道两个铜电极、装填第一道四个焊片装填、装填第一道四个钼粒、装填四个清洗好的晶粒、装填第二道四个钼粒、装填第二道四个焊片、装填第二道两个铜电极，均匀有序地装填在切割好的焊接模具中。3.根据权利要求2所述的一种高压整流器生产工艺，其特征在于：步骤五中所述焊接炉的炉内最高温度为715℃～760℃,高于660℃恒温区时间为11～17min，高于580℃恒温区时间为17～21min，出炉口温度≤130℃；所述氮气的压力为2.5
±
0.5kg/cm2。4.根据权利要求3所述的一种高压整流器生产工艺，其特征在于：步骤七中所述酸洗机包括1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李广德，
申请(专利权)人：济南晶久电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：