扇出型芯片封装方法技术

本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法，包括：分别提供载板、多个硅片和多个芯片；分别在多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；至少一个硅中介板上的导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；将每个硅中介板进行切割，获得多个子硅中介板；根据预设的封装要求，从多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将多个目标子硅中介板固定于载板；在多个目标子硅中介板背离载板的一侧形成第一塑封层；将多个芯片互连至多个目标子硅中介板上。该方法可以避免多个芯片互连至多个目标子硅中介板上时，目标子硅中介板产生翘曲或者破裂；多个子硅中介板重组后可以与多个芯片一次成型，提高了芯片封装的集成度。提高了芯片封装的集成度。提高了芯片封装的集成度。

【技术实现步骤摘要】
扇出型芯片封装方法


[0001]本公开实施例属于半导体封装
，具体涉及一种扇出型芯片封装方法。

技术介绍

[0002]现有的2.5D扇出型封装中的硅中介层主要是连接在芯片与基板之间，将芯片的信号放大并连接到基板上。目前的硅中介层集成度较低，需要提高集成度。但是目前封装越做越薄，且硅中介层上可能会连接多颗芯片。所以当芯片装在硅中介层上后对硅中介层进行减薄的时候，很容易产生翘曲或者硅中介层的破裂。
[0003]针对上述问题，有必要提出一种设计合理且有效解决上述问题的扇出型芯片封装方法。

技术实现思路

[0004]本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种扇出型芯片封装方法。
[0005]本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法，所述封装方法
[0006]包括：
[0007]分别提供载板、多个硅片和多个芯片；
[0008]分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；其中，至少一个硅中介板上的所述导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；
[0009]将每个所述硅中介板进行切割，获得多个子硅中介板；
[0010]根据预设的封装要求，从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将所述多个目标子硅中介板固定于所述载板；
[0011]在所述多个目标子硅中介板背离所述载板的一侧形成第一塑封层；
[0012]将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上。
[0013]可选的，所述从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将所述多个目标子硅中介板固定于所述载板，包括：
[0014]至少一个所述目标硅中介块的所述导电连接结构与其它目标硅中介块的导电连接结构不同。
[0015]可选的，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，包括：
[0016]在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；
[0017]在所述多个盲孔内填充导电材料，形成所述导电连接结构。
[0018]可选的，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：
[0019]在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；
[0020]在所述多个盲孔内填充导电材料；
[0021]将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。
[0022]可选的，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：
[0023]在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；
[0024]在所述多个盲孔内填充导电材料；
[0025]在所述多个盲孔上形成重布线层；
[0026]将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。
[0027]可选的，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：
[0028]在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；
[0029]在所述多个盲孔内填充导电材料；
[0030]在所述多个盲孔上形成重布线层；
[0031]在所述重布线层上形成多个焊球；
[0032]将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。
[0033]可选的，所述将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上，包括：
[0034]将所述多个芯片背离所述多个目标子硅中介板的一侧形成第二塑封层；
[0035]通过键合结构，将所述多个芯片和所述第二塑封层朝向多个目标子硅中介板的一侧互连至所述多个目标子硅中介板的正面或者背面；
[0036]所述将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上之后，所述方法还包括：
[0037]在所述多个目标子硅中介板背离所述多个芯片的一侧形成第一线路层。
[0038]可选的，所述在所述多个目标子硅中介板背离所述载板的一侧形成第一塑封层之后，或者，所述将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上之后，所述方法还包括：
[0039]在所述第一塑封层沿其厚度方向形成多个通孔，并在多个所述通孔内填充导电材料形成多个第一互连导电柱；其中，
[0040]所述第一互连导电柱的两端分别与所述多个芯片和所述第一线路层电连接。
[0041]可选的，所述在所述多个目标子硅中介板背离所述多个芯片的一侧形成第一线路层之后，所述方法还包括：
[0042]在贯穿所述第一塑封层和所述第二塑封层的厚度方向形成多个第二通孔；
[0043]在多个所述第二通孔内填充导电材料形成多个第二互连导电柱。
[0044]可选的，所述在所述多个目标子硅中介板背离所述多个芯片的一侧形成第一线路层之后，所述方法还包括：
[0045]在所述第二塑封层背离所述多个目标子硅中介板的一侧形成第二线路层；其中，
[0046]多个所述第二互连导电柱的两端分别与所述第一线路层和所述第二线路层电连接。
[0047]本公开实施例的扇出型芯片封装方法，通过分别在多个硅片上形成导电连接结构以形成多个硅中介板，其中，至少一个硅中介板上的导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构的规格不同，并且将每个硅中介板进行切割形成多个子硅中介板，然后根据预设的封装要求，将多个子硅中介板进行重组，从多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将多个芯片互连至多个目标子硅中介板，可以避免芯片封装时产生翘曲或者目标子
硅中介板的破裂；将硅中介板切割成多个子硅中介板，多个子硅中介板重组后作为目标子硅中介板，可以与多个芯片一次成型，提高了芯片封装的集成度。
附图说明
[0048]图1为本公开实施例中一实施例的扇出型芯片封装方法的流程示意图；
[0049]图2为本公开实施例中另一实施例的硅片上形成盲孔的示意图；
[0050]图3为本公开实施例中另一实施例的第一硅中介板及第一导电连接结构的结构示意图；
[0051]图4至图5为本公开实施例中另一实施例的第二硅中介板及第二导电连接结构的封装工艺示意图；
[0052]图6至图8为本公开实施例中另一实施例的第三硅中介板及第三导电连接结构的封装工艺示意图；
[0053]图9至图11为本公开实施例中另一实施例的第四硅中介板及第四导电连接结构的封装工艺示意图；
[0054]图12为本公开实施例中另一实施例的第一子硅中介板的结构示意图；
[0055]图13为本公开实施例中另一实施例的第二子硅中介板的结构示意图；
[0056]图14为本公开实施例中另一实施例的第三子硅中介板的结构示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：分别提供载板、多个硅片和多个芯片；分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；其中，至少一个硅中介板上的所述导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；将每个所述硅中介板进行切割，获得多个子硅中介板；根据预设的封装要求，从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将所述多个目标子硅中介板固定于所述载板；在所述多个目标子硅中介板背离所述载板的一侧形成第一塑封层；将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上。2.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将所述多个目标子硅中介板固定于所述载板，包括：至少一个所述目标硅中介块的所述导电连接结构与其它目标硅中介块的导电连接结构不同。3.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料，形成所述导电连接结构。4.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。5.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；在所述多个盲孔上形成重布线层；将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。6.根据权利要求1所述的扇出型芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶玉娟，姜艳，石磊，夏鑫，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：