扇出型异质芯片封装方法技术

本公开实施例提供一种扇出型异质芯片封装方法，包括：提供载板、多个硅片和多个异质芯片；分别在多个硅片上形成导电连接结构以形成多个硅中介板；至少一个硅中介板上的导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；将每个硅中介板进行切割获得多个子硅中介板；从多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将多个目标子硅中介板的正面固定于载板；多个目标子硅中介板的高度相同；在多个目标子硅中介板的背面形成第一塑封层；将多个异质芯片键合至多个目标子硅中介板上。该方法可避免多个异质芯片键合至多个目标子硅中介板上时，目标子硅中介板产生翘曲或者破裂；多个子硅中介板重组后可与多个异质芯片一次成型，提高了异质芯片封装集成度。芯片封装集成度。芯片封装集成度。

【技术实现步骤摘要】
扇出型异质芯片封装方法


[0001]本公开实施例属于半导体封装
，具体涉及一种扇出型封装方法。

技术介绍

[0002]现有的2.5D扇出型封装中的硅中介层主要是连接在异质芯片与基板之间，将异质芯片的信号放大并连接到基板上。目前的硅中介层集成度较低，需要提高集成度。但是目前封装越做越薄，且硅中介层上可能会连接多颗异质芯片。所以当异质芯片装在硅中介层上后对硅中介层进行减薄的时候，很容易产生翘曲或者硅中介层的破裂。
[0003]针对上述问题，有必要提出一种设计合理且有效解决上述问题的扇出型异质芯片封装方法。

技术实现思路

[0004]本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种扇出型异质芯片封装方法。
[0005]本公开实施例提供一种扇出型封装方法，所述封装方法包括：
[0006]分别提供载板、多个硅片和多个异质芯片；
[0007]分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；其中，至少一个硅中介板上的所述导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型异质芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：分别提供载板、多个硅片和多个异质芯片；分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；其中，至少一个硅中介板上的所述导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；将每个所述硅中介板进行切割，获得多个子硅中介板；从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将所述多个目标子硅中介板的正面固定于所述载板；其中，所述多个目标子硅中介板的高度相同；在所述多个目标子硅中介板的背面形成第一塑封层；将所述多个异质芯片键合至所述多个目标子硅中介板上。2.根据权利要求1所述的扇出型异质芯片封装方法，其特征在于，所述从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将所述多个目标子硅中介板的正面固定于所述载板，包括：至少一个所述目标硅中介块的所述导电连接结构与其它目标硅中介块的导电连接结构不同。3.根据权利要求1所述的扇出型异质芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料，形成所述导电连接结构。4.根据权利要求1所述的扇出型异质芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。5.根据权利要求1所述的扇出型异质芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；在所述多个盲孔上形成重布线层；将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。6.根据权利要求1所述的扇出型异质芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶玉娟，姜艳，石磊，夏鑫，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：