【技术实现步骤摘要】
一种沟槽场效应晶体管及其制备方法
[0001]本申请实施例涉及半导体
，尤其涉及一种沟槽场效应晶体管和一种沟槽场效应晶体管的制备方法。
技术介绍
[0002]目前因工艺上的限制，常见的几种沟槽场效应晶体管(Trench MOS)的栅极底部的拐角处接近直角，在承受耐压时，沟槽栅底部拐角处的电场线聚集，电场强度大，电势高，由此会造成栅极的可靠性降低，进而则会影响到沟槽场效应晶体管的可靠性和功能。为此，如何提高沟槽场效应晶体管的栅极的可靠性，是仍待技术人员解决的问题。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管和一种沟槽场效应晶体管的制备方法，旨在降低沟槽场效应晶体管在栅极处的电场强度，提高栅极的可靠性。
[0004]在一方面，本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管，包括：
[0005]第一导电类型的第一半导体层；所述第一导电类型的第一半导体层的上表面有沟槽；
[0006]嵌入所述沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层，以及，在所述沟槽的左右两外侧的所述第一导电类型...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种沟槽场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的第一半导体层(13)；所述第一导电类型的第一半导体层(13)的上表面有沟槽；嵌入所述沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层(14)，以及，在所述沟槽的左右两外侧的所述第一导电类型的第一半导体层(13)之上的两个第二导电类型的第四半导体层(17)；分别嵌入两个所述第二导电类型的第二半导体层(14)的上表面的两个第一导电类型的第三半导体层(15)，以及，分别嵌入两个所述第二导电类型的第四半导体层(17)的上表面的两个第一导电类型的第五半导体层(18)；分别位于所述沟槽的左右两内侧的两个栅极(16)。2.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管，其特征在于，所述沟槽、所述第二导电类型的第二半导体层(14)、两个所述第一导电类型的第三半导体层(15)、两个所述栅极(16)、两个所述第二导电类型的第四半导体层(17)以及两个所述第一导电类型的第五半导体层(18)，沿所述沟槽的左右两侧的中心对称。3.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管，其特征在于，还包括：各所述栅极(16)的一端沿所述沟槽的底部的方向延伸，各所述栅极(16)的另一端沿所述沟槽的侧壁的方向延伸；其中，所述栅极(16)的高度不超过所述第二导电类型的第四半导体层(17)。4.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管，其特征在于，还包括：分别包覆两个所述栅极(16)的两个栅极绝缘层(19)；两个所述栅极绝缘层(19)沿所述沟槽的左右两侧的中心对称；所述栅极绝缘层(19)在所述第一导电类型的第一半导体层(13)上的正投影与所述栅极(16)、所述第二导电类型的第二半导体层(14)、所述第一导电类型的第三半导体层(15)和所述第一导电类型的第五半导体层(18)在所述第一导电类型的第一半导体层(13)上的正投影交叠。5.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管，其特征在于，还包括：在所述第一导电类型的第三半导体层(15)、所述第二导电类型的第二半导体层(14)、所述栅极绝缘层(19)、所述第一导电类型的第五半导体层(18)和所述第二导电类型的第四半导体层(17)之上的第二电极层(20)；在所述第一导电类型的第一半导体层(13)之下的第一电极层(11)。6.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型的第三半导体层(15)、所述第一导电类型的第五半导体层(18)和所述第一导电类型的第一半导体层(13)是碳化硅材质。7.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层(19)是二氧化硅材质。8.一种沟槽场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的第一半导体层(13)；所述第一导电类型的第一半导体层(13)的上表面有沟槽；获得嵌入所述沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层(14)，以及，在所述沟槽的左
右两外侧的所述第一导电类型的第一半导体层(13)之上的两个第...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖勇波，谢梓翔，李春艳，
申请(专利权)人：珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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