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本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：第一导电类型的第一半导体层；第一导电类型的第一半导体层的上表面有沟槽；嵌入沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层，以及，在沟槽的左右两外侧的第一导电类型的第一半导体层之上的两个第二导电...
该专利属于珠海零边界集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海零边界集成电路有限公司授权不得商用。

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