一种LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且，所述介质层具有裸露所述第二型半导体层的介质孔；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，形成于所述外延叠层的水平表面；所述粘附层设置于所述金属反射层的边缘；所述金属连接层通过覆盖所述粘附层的方式，与所述金属反射层形成接触。从而，实现了在所述金属反射层边缘的上下表面都具有限制效果的材料层，可避免化学试剂侵蚀所述金属反射层，以很好地保护金属反射层与介质层在边缘处的图形完整性。的图形完整性。的图形完整性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制作方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有的发光二极管包括水平类型和垂直类型。垂直类型的发光二极管通过把半导体垒晶叠层转移到其它的基板如硅、碳化硅或金属基板上，并移除原始外延生长的衬底的工艺获得，相较于水平类型，可以有效改善外延生长衬底带来的吸光、电流拥挤或散热性差的技术问题。衬底的转移一般采用键合工艺，键合主要通过金属
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金属高温高压键合，即在半导体垒晶叠层一侧与基板之间形成金属键合层。半导体垒晶叠层的另一侧提供出光侧，出光侧配置有一打线电极提供电流的注入或流出，半导体垒晶叠层的下方的基板提供电流的流出或流入，由此形成电流垂直经过半导体垒晶叠层的发光二极管。
[0003]对于LED发光器件，提升LED的外量子效率和芯片的散热能力是研发工作者追求的永恒课题；其中，反射镜的设计作为垂直结构LED芯片结构层面的重点攻克对象。目前，通常采用高反射金属既充当电流扩展层又充当反射金属层，金属包含Ag、Au、Al、Mg、Ni、Ti等中的一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：基板及设置于所述基板上方的外延叠层；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔；第一方向垂直于所述基板，并由所述基板指向所述外延叠层；在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；其中，所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且，所述介质层具有裸露所述第二型半导体层的介质孔；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，形成于所述外延叠层的水平表面；所述粘附层设置于所述金属反射层的边缘；所述金属连接层通过覆盖所述粘附层的方式，与所述金属反射层形成接触，且所述金属连接层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层通过覆盖所述金属连接层及金属反射层的方式，延伸至所述通孔的侧壁；所述基板通过所述金属键合层嵌入所述通孔的方式与所述外延叠层键合形成一体。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述粘附层包括介质膜层。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述粘附层包括金属粘附层。4.根据权利要求2述的LED芯片，其特征在于，所述介质层和/或介质膜层包括SiO2、Al2O3、MgF2、ZnO中的一种或多种。5.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述金属粘附层包括TiW、Ni、Ti、Pt、Au中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层包括高热导率的绝缘材料层。7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨克伟，曲晓东，罗桂兰，赵斌，江土堆，尤翠萍，陈凯轩，刘文辉，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：