发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第一台面，位于所述半导体叠层的边缘区域裸露出所述第一半导体层的第一表面；绝缘层，包括部分形成于所述第一台面上，所述绝缘层包含依次层叠的第一绝缘层、第四绝缘层以及第二绝缘层，所述第四绝缘层为氧化铝，所述绝缘层包含第六开口部以露出所述第一半导体层第一表面；其中，所述第六开口部在半导体叠层生长方向上的投影位于所述第一台面内，所述第六开口部包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段为连续结构，所述第一段沿所述发光二极管的第一边延伸，所述第二段沿所述发光二极管的第二边延伸。二极管的第二边延伸。二极管的第二边延伸。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管


[0001]本专利技术涉及一种发光二极管制造
，特别是涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文Light Emitting Diode，简称LED)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光二极管。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、 具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。

技术实现思路

[0003]为达本专利技术中的至少一个优点或其他优点，本专利技术的一实施例提出一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第三绝缘层，位于所述半导体叠层之上；所述第三绝缘层具有第四开口部和第五开口部；第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极形成于所述第四开口部内与所述第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极形成于所述第五开口部内与所述第二半导体层电连接，所述第一焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第二焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四开口部之间具有第一最大水平距离，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间具有第二最大水平距离，所述第一最大水平距离小于2μm，所述第二最大水平距离小于2μm。
[0004]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、 权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0005]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0006]图1为本专利技术第一实施例所揭示的发光二极管1的剖面图；图2至图29为本专利技术第二实施例所揭示的发光二极管2的制造方法各步骤所呈现的结构示意图。
[0007]图30为本专利技术第三实施例所揭示的发光二极管3的俯视图；图31为图30所揭示的发光二极管3的局部放大示意图；图32为沿图30线段I
‑
I
’
所揭示的发光二极管3的剖面图；图33为图32所揭示的发光二极管3的局部放大示意图；
图34为本专利技术第四实施例所揭示的发光二极管4的剖面图。
具体实施方式
[0008]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的 附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本 专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本专利技术不同实施方式中所设计的 技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本专利技术中的实施例，本领域普通 技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0009]在本专利技术的描述中，需要说明的是，本专利技术所使用的所有术语(包括技术术语和科学 术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义，不能理解为 对本专利技术的限制；应进一步理解，本专利技术所使用的术语应被理解为具有与这些术语在本说 明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来理 解，除本专利技术中明确如此定义之外。
[0010]第一实施例图1为本专利技术第一实施例所揭示的发光二极管1的剖面图。
[0011]如图1所示，发光二极管1包含衬底110，以及形成于衬底110上的半导体叠层120，其中半导体叠层120包含第一半导体层121，第二半导体层123，以及有源层122位于第一半导体层121及第二半导体层123之间。
[0012]在本专利技术的一实施例中，所述衬底110可以使用适合于半导体材料生长的载体晶片来形成。此外，衬底110可以由具有优异的热导率的材料形成或者可以是导电衬底或绝缘衬底。此外，衬底110可由透光材料形成，并且可具有不会引起整个半导体叠层120弯曲并且使得能够通过划线和断裂工艺有效地划分成分开芯片的机械强度。例如，衬底110可以使用蓝宝石（Al2O3）基板、碳化硅（SiC）基板、硅（Si）基板、氧化锌（ZnO）基板、氮化镓（GaN）基板、砷化镓（GaAs）基板或磷化镓（GaP）基板等，尤其，优选使用蓝宝石（Al2O3）基板。在本实施例中衬底110为表面具有一系列凸起的蓝宝石，包括例如采用干法蚀刻制作的没有固定斜率的凸起，又或者采用湿法蚀刻的具有一定斜率的凸起。
[0013]在本专利技术的一实施例中，通过有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相沉积法(HVPE)、物理气相沉积法(PVD)或离子电镀方法以于衬底110上形成具有光电特性的半导体叠层120，例如发光(light
‑
emitting)叠层，其中物理气象沉积法包含溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evoaporation)法。第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123可由Ⅲ族氮化镓系列的化合物半导体，例如，GaN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN及包括这些组中的至少一种形成。第一半导体层121是提供电子的层，可通过注入n型掺杂物（例如，Si、Ge、Se、Te、C等）来形成。第二半导体层123是提供空穴的层，可通过注入p型掺杂物（例如，Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等）来形成。有源层122是第一半导体层121提供的电子和第二半导体层123提供的空穴再次结合而输出预定波长的光的层，可由具备交替地层叠势阱层和势垒层的单层或多层量子阱结构的多层的半导体薄膜形成。有源层122会依据输出的光波长不同的而选择不同的材料组成或配比。例如，本专利技术实施例的发光二极管1的发射波长介于420nm至580nm之间。有源层122可以形成为具有包括使用第III族至第V族化合物半导
体材料（例如，InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs或GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一种）的阱层和阻挡层的对结构，但是本公开内容不限于此。阱层可由具有比阻挡层的能带隙小的能带隙的材料形成。
[0014]在本专利技术的一实施例中，发光二极管1包括透明导电层130，透明导电层130形成于半导体叠层120上，与第二半导体层123接触。透明导电层130可以大体接触第二半导体层123的几乎整个上表面。在这种结构中，电流在被提供给发光二极管时能够通过透明导电层130沿水平方向散布，且因此能够均匀地提供给第二半导体层123的整体。在一优选实施例中，该透明导电层130的厚度为5~60nm，当厚度低于5nm，容易适成发光二极管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第一台面，位于所述半导体叠层的边缘区域裸露出所述第一半导体层的第一表面；绝缘层，包括部分形成于所述第一台面上，所述绝缘层包含依次层叠的第一绝缘层、第四绝缘层以及第二绝缘层，所述第四绝缘层为氧化铝，所述绝缘层包含第六开口部以露出所述第一半导体层第一表面；其中，所述第六开口部在所述半导体叠层生长方向上的投影位于所述第一台面内，所述第六开口部包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段为连续结构，所述第一段沿所述发光二极管的第一边延伸，所述第二段沿所述发光二极管的第二边延伸。2.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为氧化硅，所述第四绝缘层为氧化铝。3.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第四绝缘层的厚度为20~150nm，所述第二绝缘层大于所述第四绝缘层的厚度。4.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极与所述第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极与所述第二半导体层电连接，所述发光二极管具有四个角落，相对靠近所述第一焊盘电极的角落为第一角落和第四角落，相对远离所述第一焊盘电极的角落为第二角落和第三角落。5.根据权利要求4所述的发光二极管，所述第六开口部在半导体叠层生长方向的投影位于所述发光二极管的角落上，位于所述第一角落或者所述第四角落上的第六开口部露出的第一半导体层的面积小于位于所述第二角落或者第三角落上的第六开口部露出的第一半导体层的面积。6.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第一台面包括第一平台和第二平台，所述第一平台内边缘与所述发光二极管的边缘之间的水平距离为第一距离，所述第二平台内边缘与所述发光二极管的边缘之间的水平距离为第二距离，所述第一距离小于第二距离。7.根据权利要求6所述的发光二极管，所述第一距离为10~30μm，所述第二距离为20~40...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱秀山，李燕，陈吉，荆琪，卢志龙，蔡吉明，凃如钦，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：