MicroLED阵列结构及其制备方法技术

本申请提供了一种Micro LED阵列结构及其制备方法，Micro LED阵列结构包括：衬底、设置于衬底上的Micro LED像素单元阵列；Micro LED像素单元阵列包括多个Micro LED像素单元；相邻的两个Micro LED像素单元之间设置有钝化层和黑胶。本申请通过设置于相邻的两个Micro LED像素单元之间的钝化层和黑胶，既能够改善光串扰，又能够提高发光效率。又能够提高发光效率。又能够提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
Micro LED阵列结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是涉及一种Micro LED阵列结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]Micro LED即微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在10微米量级，每一个LED像素都能自发光。将10微米尺度的LED芯片连接到驱动基板上，从而实现对每个芯片放光亮度的精确控制，进而实现图像显示。
[0003]光串扰在LED显示中是普遍存在的现象，因此产生了很多消除光串扰的方法，比如盖消光板等，但是该方式无法很好的适用于结构更加精细的Micro LED。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种Micro LED阵列结构及其制备方法，通过设置于相邻的两个Micro LED像素单元之间的黑胶，可以有效改善光串扰问题，提升Micro LED的对比度。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种Micro LED阵列结构，Micro LED阵列结构包括：衬底、设置于衬底上的Micro LED像素单元阵列；Micro LED像素单元阵列包括多个Micro LED像素单元；相邻的两个Micro LED像素单元之间设置有钝化层和黑胶。
[0006]在本申请较佳的实施方式中，上述Micro LED像素单元包括：衬底上自下而上依次设置的外延层和电极层；外延层自下而上依次包括：N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层；电极层自下而上依次包括：导电层、第一金属层和第二金属层；黑胶的填充深度从第二金属层一直到达发光层，以遮挡发光层在水平方向的出光。
[0007]在本申请较佳的实施方式中，上述黑胶的填充深度跨越第二金属层、第一金属层、导电层、P型氮化镓层、发光层，直到覆盖于N型氮化镓层上。
[0008]在本申请较佳的实施方式中，上述导电层为ITO铟锡金属氧化物层；第一金属层为Ti/Al/Ti/Au电极；第二金属层为铟金属层。
[0009]在本申请较佳的实施方式中，上述黑胶为耐高温高光密度黑色光刻胶。
[0010]第二方面，本申请实施例还提供一种Micro LED阵列结构的制备方法，方法包括：在衬底上形成初始Micro LED阵列；其中，初始Micro LED阵列包括多个初始Micro LED像素单元；相邻的两个初始Micro LED像素单元之间设置有钝化层；初始Micro LED像素单元自下而上依次包括外延层及形成于外延层上的导电层、第一金属层；在初始Micro LED阵列上覆盖黑胶层，以使相邻的每两个初始Micro LED像素单元之间的钝化层中设置有黑胶；在黑胶层上设置第一金属接触窗口；通过第一金属接触窗口，设置与第一金属层接触的第二金属层，得到Micro LED阵列结构。
[0011]在本申请较佳的实施方式中，上述在衬底上形成初始Micro LED阵列的步骤，包括：在外延片上形成SiO2掩模层；外延片包括衬底和设置于衬底上的外延层；在SiO2掩模层上形成初始LED像素结构；在初始LED像素结构上设置导电层和第一金属层，得到LED像素结
构；在LED像素结构上形成钝化层，并在钝化层上形成第二金属接触窗口，得到初始Micro LED阵列。
[0012]在本申请较佳的实施方式中，上述在外延片上形成SiO2掩模层的步骤之前，还包括：在衬底上形成外延层，得到外延片。
[0013]第三方面，本申请实施例还提供一种Micro LED模组，该Micro LED模组包括：如第一方面所述的Micro LED阵列结构。
[0014]第四方面，本申请实施例还提供一种显示装置，显示装置包括如第三方面所述的Micro LED模组。
[0015]本申请实施例提供的一种Micro LED阵列结构及其制备方法中，Micro LED阵列结构包括：衬底、设置于衬底上的Micro LED像素单元阵列；Micro LED像素单元阵列包括多个Micro LED像素单元；相邻的两个Micro LED像素单元之间设置有钝化层和黑胶。本申请实施例通过设置于相邻的两个Micro LED像素单元之间的黑胶，可以有效改善光串扰问题，提升Micro LED的对比度，从而改善Micro LED模组的显示效果；并且，由于钝化层是透明的，Micro LED像素单元的发光层发射出的光通过钝化层能够更好地从模组中发射出去，在改善光串扰的情况下，还能够提高发光效率。因此，本申请实施例提供的Micro LED阵列结构，通过设置于相邻的两个Micro LED像素单元之间的钝化层和黑胶，既能够改善光串扰，又能够提高发光效率。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或相关技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本申请实施例提供的一种Micro LED阵列结构的示意图；
[0018]图2为本申请实施例提供的一种Micro LED阵列结构中Micro LED像素单元的示意图；
[0019]图3为本申请实施例提供的一种通过黑胶进行消光的示意图；
[0020]图4为本申请实施例提供的一种有无钝化层的结构对比图；
[0021]图5为本申请实施例提供的一种Micro LED阵列结构的制备方法的流程图；
[0022]图6为本申请实施例提供的一种初始Micro LED阵列的示意图；
[0023]图7为本申请实施例提供的另一种Micro LED阵列结构的示意图；
[0024]图8为本申请实施例提供的一种Micro LED阵列结构的制备方法中初始Micro LED阵列的制备方法的流程图。
具体实施方式
[0025]下面将结合实施例对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026]相关技术中，针对LED显示中的光串扰问题通常采用盖消光板的方式解决，但是该方式无法很好的适用于结构更加精细的Micro LED。目前针对Micro LED并没有有效的预防光串扰问题的解决方案。
[0027]基于此，本申请实施例提供一种Micro LED阵列结构及其制备方法，通过设置于相邻的两个Micro LED像素单元之间的黑胶，可以有效改善光串扰问题，提升Micro LED的对比度，从而改善Micro LED模组的显示效果；并且，由于钝化层是透明的，Micro LED像素单元的发光层发射出的光通过钝化层能够更好地从模组中发射出去，在改善光串扰的情况下，还能够提高发光效率。因此，本申请实施例提供的Micro LED阵列结构，通过设置于相邻的两个Micro LED像素单元之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro LED阵列结构，其特征在于，所述Micro LED阵列结构包括：衬底、设置于所述衬底上的Micro LED像素单元阵列；所述Micro LED像素单元阵列包括多个Micro LED像素单元；相邻的两个所述Micro LED像素单元之间设置有钝化层和黑胶。2.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述Micro LED像素单元包括：所述衬底上自下而上依次设置的外延层和电极层；所述外延层自下而上依次包括：N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层；所述电极层自下而上依次包括：导电层、第一金属层和第二金属层；所述黑胶的填充深度从所述第二金属层一直到达所述发光层，以遮挡所述发光层在水平方向的出光。3.根据权利要求2所述的阵列结构，其特征在于，所述黑胶的填充深度跨越所述第二金属层、所述第一金属层、所述导电层、所述P型氮化镓层、所述发光层，直到覆盖于所述N型氮化镓层上。4.根据权利要求2所述的阵列结构，其特征在于，所述导电层为ITO铟锡金属氧化物层；所述第一金属层为Ti/Al/Ti/Au电极；所述第二金属层为铟金属层。5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列结构，其特征在于，所述黑胶为耐高温高光密度黑色光刻胶。6.一种Micro LED阵列结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成初始Micro LED阵列；其中，所述初始Micro LED阵列包括多个初始Micro LED像素...

【专利技术属性】
技术研发人员：张珂，管云芳，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：