一种物理气相沉积系统的使用方法技术方案

本发明专利技术提供一种PVD系统的使用方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明专利技术的方法包括：通气步骤：通过供气装置向腔室中通入氩气，氩气的流量为10

【技术实现步骤摘要】
一种物理气相沉积系统的使用方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种物理气相沉积系统的使用方法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路制造技术的发展，对物理气相沉积(PVD)工艺的要求越来越高。特别是在相变存储器的制造中，PVD工艺用来在晶圆表面沉积相变材料薄膜，例如GST薄膜。在PVD工艺中，如何减少相变材料薄膜中的孔洞，即如何提高沉积的相变材料薄膜的致密度(Mass Density)是目前本领域的主要问题之一。但是相变材料薄膜的致密度无法直接测量，根据此前的研究，相变材料薄膜的致密度与折射率成正比(如图3所示)。因此，PVD工艺中的关键问题就是如何提高相变材料薄膜的折射率。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在提供一种能够提高PVD工艺中沉积的相变材料薄膜的致密度的物理气相沉积系统的使用方法。
[0004]本专利技术的方法包括：腔室，设置在所述腔室顶部的相变材料靶材，设置在所述腔室底部的基座，所述基座上放置有晶圆，用于向所述腔室通气的供气装置，与所述相变材料靶材电连接的直流磁控装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积系统的使用方法，所述物理气相沉积系统(100)包括：腔室(1)，设置在所述腔室(1)顶部的相变材料靶材(2)，设置在所述腔室(1)底部的基座(3)，所述基座(3)上放置有晶圆(4)，用于向所述腔室(1)通气的供气装置(5)，与所述相变材料靶材(2)电连接的直流磁控装置(6)，用于从所述腔室(1)中抽气的抽气装置(7)，所述使用方法包括：通气步骤：通过所述供气装置(5)向所述腔室(1)中通入氩气，所述氩气的流量为10
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200sccm；点火步骤：通过所述直流磁控装置(6)向所述腔室(1)中的氩气放电，使所述氩气电离为氩离子，所述氩离子轰击所述相变材料靶材(2)，将所述相变材料靶材(2)中的相变材料的原子轰击出来；沉积步骤：所述相变材料的原子沉积在所述晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：周成龙，邱宗钰，谷丹，王康康，李淮斌，
申请(专利权)人：北京时代全芯存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：