一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于ITO靶材领域，具体公开一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置。本发明专利技术的烧结方法中，将ITO平面靶靶坯在适合其尺寸大小的密闭空间内进行烧结，该空间内温度和气体分布更加均匀，可提升靶材的密度和降低靶材的翘曲度。同时本发明专利技术的烧结方法在密闭结构内进行，杜绝了氧气流出，使得氧分压满足抑制靶材挥发的条件后，不需要再通入氧气，大大降低了在烧结过程中的氧气浪费，总体烧结过程所需的耗氧量极低。量极低。

【技术实现步骤摘要】
一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置


[0001]本专利技术属于ITO靶材领域，具体涉及一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置。

技术介绍

[0002]ITO(氧化铟锡)靶材作为磁控溅射镀膜的主要原材料之一，由于其溅射后的薄膜具有优异的导电率、可见光透过率以及不同波段的选择性吸收的特性，被广泛应用在LCD、OLED、太阳能异质结电池等领域。随着ITO靶材的应用领域不断拓展，其在全球的需求量也在不断的增长。
[0003]ITO靶材的烧结方法包括常压烧结、热压烧结、微波烧结等，其中常压烧结具有产能高、设备要求低等优势成为了当前主要的ITO靶材烧结方式。氧化氛围作为常压烧结中必不可少的烧结环境，其主要作用是抑制烧结过程中氧化铟和氧化锡的挥发，保证烧结过程的正常进行。然而在烧结过程中，需要不断通入氧气来维持烧结炉内的氧化氛围，导致氧气不断被排出烧结炉而被浪费掉。烧结过程的氧气消耗占生产成本的比重相对较大，因此需要寻求一种可充分利用氧气的烧结方法，以降低氧气消耗量，从而降低生产成本。

技术实现思路

[0004]针对上述现有技术涉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO平面靶的烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将ITO平面靶靶坯置于烧结装置中进行脱脂；(2)在烧结装置中设置密封结构，使脱脂后的ITO平面靶靶坯处于密封结构中，所述密封结构包括氧分压测试探头和氧气注入通道；然后采用1
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5℃/min的升温速率升温至600～800℃并保温，在保温过程中通过氧气注入通道通入氧气，当氧分压值达到30％～90％时，停止通入氧气，并且结束该温度的保温；再升温至烧结温度进行烧结，烧结结束后降温至室温，得到ITO平面靶。2.如权利要求1所述的ITO平面靶的烧结方法，其特征在于，所述密封结构通过如下方式设置：在烧结装置中的烧结承重板上设凹槽，在凹槽中撒上深度大于25mm的沙层，然后将密封罩嵌入烧结承重板的凹槽中，使密封罩在凹槽的沙层中的插入深度为20～30mm，使得脱脂后的ITO平面靶靶坯处于密闭空间内。3.如权利要求2所述的ITO平面靶的烧结方法，其特征在于，所述密封罩包括至少两个连接口，其中一个连接口用来连接氧气注入通道，另一个连接口用来连接氧分压测试探头。4.如权利要求3所述的ITO平面靶的烧结方法，其特征在于，所述氧气注入通道为螺旋状的气体注入管道，螺旋直径为30～100mm，螺旋圈数量为5～...

【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，尹琳，余芳，李叶，李明鸿，曾光鹏，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：