一种硅片吸盘制造技术

本实用新型专利技术涉及硅片夹具技术领域，具体涉及一种硅片吸盘。包括吸盘主体，所述吸盘主体侧面延伸设置有副板；气路设置于所述吸盘主体的内部，所述气路的一端贯通至吸盘主体的外部；吸孔设置于所述吸盘主体上，且贯穿至所述气路的内部；第一吸槽设置于所述吸盘主体的表面上，且吸孔位于所述第一吸槽的内部；第二吸槽设置于所述副板上，且与所述第一吸槽连通。通过将原始的点吸取转变成面吸取，提高了硅片的吸附面积，进而有效提高了对硅片吸取的效果。同时还在吸盘主体的一侧设置有若干的副板，若干的副板增加了与硅片的接触面积，因此，吸附面积也得到极大的提升，进一步地提高了对硅片吸取的效果。硅片吸取的效果。硅片吸取的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片吸盘


[0001]本技术涉及硅片夹具
，具体涉及一种硅片吸盘。

技术介绍

[0002]硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。同时用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防等领域。
[0003]在硅片的生产中，需要对硅片进行夹取工作。吸盘是现有技术中，常常用于硅片夹取的一种工具。现有的吸盘通常是依靠多个吸点对硅片进行吸取，但是点吸取的方式，其吸取效果并不好。同时现有的吸盘结构单一，无法满足更高的需求。
[0004]上述问题是本领域亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]本技术要解决的技术问题是提供一种硅片吸盘，从而能够提高对硅片吸取的效果。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术提供的方案是：一种硅片吸盘，包括吸盘主体，所述吸盘主体侧面延伸设置有副板；气路设置于所述吸盘主体的内部，所述气路的一端贯通至吸盘主体的外部；吸孔设置于所述吸盘主体上，且贯穿至所述气路的内部；
[0007]第一吸槽设置于所述吸盘主体的表面上，且吸孔位于所述第一吸槽的内部；第二吸槽设置于所述副板上，且与所述第一吸槽连通。
[0008]作为本技术的进一步改进，若干所述副板间隔设置于所述吸盘主体的一侧。设置若干的副板能够进一步地提高与硅片接触的面积，从而使得硅片能够被更多的第二吸槽所吸附，极大地提高了对硅片的吸附能力。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述吸盘主体上还设置有第三吸槽，所述第三吸槽与所述第一吸槽进行连通。能够进一步地增大硅片的吸附面积，提高对硅片的吸附能力。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述吸盘主体两侧面上设置有连接口。连接口能够便于外部设备与吸盘主体的安装连接。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述吸盘主体和所述副板均采用氧化铝陶瓷制成。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性，能够用于硅片的接触夹取工作，且不会对硅片造成影响。同时其密度为3.5g/cm3，仅为钢铁的一半，可大大减轻设备负荷。
[0012]本技术的有益效果：
[0013]本技术结构合理、简单，操作便捷，将吸盘主体通过连接口与外界的设备进行连接，同时将气路贯穿至吸盘主体外部的一端与气源进行连接。气源提供吸气，吸气沿着气路进行流动，通过吸孔进入至第一吸槽中，之后再沿着第一吸槽流动至第二吸槽和第三吸槽中。使得第一吸槽、第二吸槽和第三吸槽内部均流动着气源提供的吸气，进而使得第一吸槽、第二吸槽和第三吸槽均能够提供吸力，因此能够对硅片进行吸取。
[0014]通过将原始的点吸取转变成面吸取，提高了硅片的吸附面积，进而有效提高了对硅片吸取的效果。同时还在吸盘主体的一侧设置有若干的副板，若干的副板增加了与硅片的接触面积，因此，吸附面积也得到极大的提升，进一步地提高了对硅片吸取的效果。
附图说明
[0015]图1是本技术的结构示意图；
[0016]图2是本技术的主视图；
[0017]图3是本技术的内部示意图。
[0018]附图标记：1、吸盘主体；2、副板；3、气路；4、吸孔；5、第一吸槽；6、第二吸槽；7、第三吸槽；8、连接口。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。
[0020]参照图1所示，为本技术的一实施例，包括吸盘主体1，三个副板2间隔延伸设置于吸盘主体1的一侧；气路3设置于吸盘主体1的内部，气路3的一端贯通至吸盘主体1的外部；吸孔4设置于吸盘主体1上，且贯穿至气路3的内部；第一吸槽5设置于吸盘主体1的表面上，但并不贯穿至气路3内部，且吸孔4位于第一吸槽5的内部；每一个副板2上都设置有一个第二吸槽6,并与第一吸槽5进行连通。
[0021]吸盘主体1上还设置有第三吸槽7，第三吸槽7与第一吸槽5进行连通。吸盘主体1两侧面上设置有连接口8。吸盘主体1和副板2均采用氧化铝陶瓷制成。
[0022]实际工作时，将吸盘主体1通过连接口8与外界的设备进行连接，同时将气路3贯穿至吸盘主体1外部的一端与气源进行连接。气源提供吸气，吸气沿着气路3进行流动，通过吸孔4进入至第一吸槽5中，之后再沿着第一吸槽5流动至第二吸槽6和第三吸槽7中。使得第一吸槽5、第二吸槽6和第三吸槽7内部均流动着气源提供的吸气，进而使得第一吸槽5、第二吸槽6和第三吸槽7均能够提供吸力，因此能够对硅片进行吸取。
[0023]通过将原始的点吸取转变成面吸取，提高了硅片的吸附面积，进而有效提高了对硅片吸取的效果。同时还在吸盘主体1的一侧设置有三个副板2，这三个副板2增加了与硅片的接触面积，因此，吸附面积也得到极大的提升，进一步地提高了对硅片吸取的效果。
[0024]应当理解的是，当在本说明书中如使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0025]如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0026]如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0027]除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电
连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0028]以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片吸盘，其特征在于，包括吸盘主体(1)，所述吸盘主体(1)侧面延伸设置有副板(2)；气路(3)设置于所述吸盘主体(1)的内部，所述气路(3)的一端贯通至吸盘主体(1)的外部；吸孔(4)设置于所述吸盘主体(1)上，且贯穿至所述气路(3)的内部；第一吸槽(5)设置于所述吸盘主体(1)的表面上，且吸孔(4)位于所述第一吸槽(5)的内部；第二吸槽(6)设置于所述副板(2)上，且与所述第一吸槽(5)连通。2.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：董晓清，安迪，郑琦，杨义，华晨，程院生，薛房超，詹尔豪，
申请(专利权)人：无锡江松科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：