水冷等离子淋浴器制造技术

本发明专利技术提供一种等离子淋浴器，能够产生中和用电子，用于在离子注入工艺中，在被注入晶片上产生的静电积累进行中和，提高离子注入工艺的性能，消除静电积累对注入晶片的危害。

【技术实现步骤摘要】
所属领域本专利技术涉及到离子注入机，应用到半导体工艺的离子注入工艺中，用于在离子注入工艺中，在被注入晶片上产生的静电积累进行中和，提高离子注入工艺的性能，消除静电积累对注入晶片的危害。属于半导体设备领域。
技术介绍
在半导体工艺的离子注入工艺中，大量的离子在经过离子注入机加速并控制下轰击晶片表面，由于这些离子是带电粒子，每一个粒子轰击到晶片表面，晶片中就要有与离子带电荷数相等的电子对离子进行中和。一方面，在有些离子注入的工艺中，晶片表面存在有加工图形的光刻胶，这种胶是绝缘的，在离子注入的过程中，一部分离子通过图形的空缺注入到晶片中，而其余的离子则打到光刻胶上，由于光刻胶的绝缘，随着注入离子数量的增加，则在光刻胶上产生静电积累；另一方面，在大剂量的离子注入的工艺中，由于注入束流大，也会在晶片表面产生静电积累，这种积累不但对晶片是一种危害，同时会影响离子注入的均匀性等，特别是随着注入离子能量的越来越低，这种影响尤为明显，降低离子注入的性能。通过对注入晶片和离子束进行电子中和，可以很好的消除这种影响。离子淋浴器就是产生这种中和用电子的新型装置。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种等离子淋浴器本文档来自技高网...

【技术保护点】
水冷等离子淋浴器，其特征在于，包括下列部件：引出极板（１），灯丝装夹机构（２），灯丝（３），送气管路（４），灯丝引线机构（５），法兰绝缘垫（６），法兰（７），导水长管（８），水冷支架（９），两瓷绝缘柱子（１０），屏蔽罩（１１），两磁铁（１２），两磁铁安装板（１３）；所述的水冷支架（９）底部的通孔、灯丝装夹机构（２）和引出极板（１）共同围成一个放电工作空间称为放电弧室（１４）；所述的引出极板（１），安装在放电弧室的顶端面，正中有一圆孔，是等离子淋浴器的等离子出口 ；所述的灯丝装夹机构（２），装夹有灯丝（３）、灯丝装夹的夹杆和螺母及绝缘块，用于灯丝与水冷支架（９）之间...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐景庭，彭立波，谢均宇，罗宏洋，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]