曝光装置以及曝光方法制造方法及图纸

技术编号:3718930 阅读:96 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种曝光装置以及曝光方法,使靶材料等离子化,并产生脉冲光,以脉冲光进行曝光。本发明专利技术的特点是包括:发光机构,使间歇性供应的靶材料等离子化而产生脉冲光;标线片载物台,具备照射脉冲光的标线片;感应基板载物台,配置有照射于标线片经过图案化的脉冲光的感应基板;控制机构,在开始对感应基板上进行曝光前,依据感应基板载物台的驱动时序及脉冲光的发光时序,使曝光开始点或者曝光结束点与发光时序一致的方式,控制感应基板载物台。本发明专利技术即使在曝光用光源中,使用使靶材料等离子化而产生的脉冲光的情形时,也能获得良好的曝光量均一性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种曝光装置,尤其是关于一种使靶材料等离子化而产生脉冲光,并以脉冲光进行曝光的。
技术介绍
目前,在使用有脉冲光的曝光装置中,自曝光装置侧对光源进行发光指示(触发),而光源则以其为依据产生曝光光线。即,曝光装置侧以使装置的载物台驱动与时序一致的方式触发光源而进行曝光动作。借此,可在曝光区域内获得均一曝光量。另一方面,在某种EUV光源中,间隙性供应靶材料并使其等离子化,而使用由等离子所辐射的X线(EUV光)。至于这种光源,存有液滴·激光等离子X线源,其例如自喷嘴前端滴落液滴,并对液滴照射激光使之等离子化。专利文献1日本专利早期公开第2000-215998号公报。然而,在这种光源中,EUV光所发光的时刻,依存于靶材料所供应的时序,而与曝光装置内部的时序并无关系。为此,即使自曝光装置侧触发光源,也不会以曝光装置所期望的时序使EUV光发光。该时序的偏差(延迟)最大为光源重复频率的倒数。例如重复频率为1kHz,则最大延迟为1ms。为此,由于曝光装置载物台的启动与EUV光发光时刻的偏差,因此曝光区域内的扫描开始部分以及扫描最终部中所照射的脉冲数在最差时不足一个脉冲,故而导致区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光装置,其特征在于,包括:一发光机构,其使间歇性供应的一靶材料等离子化而产生一脉冲光;一标线片载物台,其具备照射有所述脉冲光的一标线片;一感应基板载物台,其配置有照射有在所述标线片经过图案化的所述脉冲光的一感应 基板;以及一控制机构,其在开始对所述感应基板上进行曝光前,以依据所述感应基板载物台的一驱动时序及所述脉冲光的一发光时序,而使曝光开始点或者曝光结束点与所述发光时序一致的方式,控制所述感应基板载物台。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:近藤洋行宫地敬
申请(专利权)人:株式会社尼康
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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