【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体加工设备部件，尤其涉及一种反应腔室及其内衬。
技术介绍
半导体晶片加工包括金属层、介电层和半导体材料层的化学气相沉积(CVD)，这样 的沉积处理包括对这些层的刻蚀、光刻胶掩膜层的抛光等等。在刻蚀的情况中，等离子体 刻蚀通常用于刻蚀金属层、介电层和半导体材料。平行板式的等离子体反应器一般包括反 应腔室，对硅晶片的刻蚀在反应腔室内完成，刻蚀气体进入反应腔室后被电极电离成等离 子体，等离子体刻蚀反应腔室内的晶片。在等离子体刻蚀过程期间，通过向处于较低压力的气体加入大量的能量而使气体电离 以形成等离子体。通过调节晶片的电位，等离子体被导向以便垂直地冲撞到晶片上，使晶 片上无掩膜区域的材料被移走。半导体加工系统用来加工半导体晶片，从而制造集成电路。特别是在刻蚀、氧化、化 学气相沉积(CVD)等过程中通常使用基于等离子体的半导体加工。传统的等离子加工系统 通常控制等离子加工腔内的气流或者等离子体流，以便为加工晶片提供最佳的环境。反应腔室内的处理气体的不均匀分布会对等离子体的均匀分布产生不利影响。为了得到整个晶片表面上均匀的刻蚀速率，希望在晶片表面上...
【技术保护点】
一种反应腔室内衬，包括侧面内衬、底面内衬，其特征在于，所述的侧面内衬分两层，分别为里层内衬和外层内衬，所述里层内衬和外层内衬的上缘相互连接；下缘分别与底面内衬连接，里层内衬与外层内衬之间形成封闭空间；所述里层内衬开有多个气孔 ；所述外层内衬开有内衬进气开口和内衬排气开口。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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